第4章_硅锗中的杂质和缺陷.ppt

第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷;理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。;实际半导体;§4.1 Si、Ge晶体中的杂质的性质 1、杂质与杂质能级杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。;在金刚石型晶体中，晶胞中原子??体积百分数为34%，说明还有66%是空隙。Si 中的杂质有两种存在方式， a：间隙式杂质 特点：杂质原子一般较小，锂元素 b：替位式杂质 特点：杂质原子的大小与被替代的晶格原子大小可以相比，价电子壳层结构比较相近，Ⅲ和Ⅴ族元素在Si，Ge中都是替位式;B:替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近;N型半导体;杂质能级位于禁带中;施主杂质施主能级;(1)VA族的替位杂质——施主杂质;过程： 1.形成共价键后存在正电中心P+； 2.多余的一个电子挣脱束缚，在晶格中自由动；杂质电离 3. P+成为不能移动的正电中心；;电离的结果：导带中的电子数增加了，这即是掺施主的意义所在。;电离时，P原子能够提供导电电子并形成正电中心，——施主杂质。;;;定义：;3、受主能级：举例：Si