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* * 9.2　集成门构成的脉冲单元电路 9.2.1　施密特触发器 9.2.2　单稳态触发器 9.2.3　多谐振荡器 vI R1 1 1 G1 G2 vO vO vI R2 图10-2-1 两级CMOS反相器构成施密特触发器 9.2.1　施密特触发器 　　１．用两级CMOS反相器构成的施密特触发器 ≥ vO vI VT－ VT+ VGS(th) 2 VGS(th) R1 R2 图10-2-2 施密特触发器 电压传输特性 ≤ vI R1 1 G1 G2 vO vO vI R2 图10-2-3 两级TTL门构成的施密特触发器 D 　　２．用TTL门构成的施密特触发器 ≥ ≤ 图10-2-4 CMOS集成施密特触发器电路 TP2 TN1 vI TP1 TN2 TP3 vO ● TN3 VDD TP4 TN5 TP5 TN6 vO vO VDD TP6 施密特触发器 整形 (a) 缓冲输出 vI vO (b) 1 　　３．集成施密特触发器 　　图中TP4、TP5及TN4、TN5构成两个首尾相连的反相器，用来改善输出波形(整形)；TP6和TN6组成输出缓冲级，以提高电路的带负载能力，同时起隔离作用。 VCC ● T1 T2 vO T3 vO vO D1 D4 D3 T4 T5 D6 T6 vO 图10-2-5 4输入与非