模拟电路复习相关-第1-3章.pptxVIP

模拟电路复习提纲;考试类型 ;第一章 半导体器件（理解）;1.若P型半导体中掺入足量的五族元素，能否将其改型为N型半导体？ 答：可以，在半导体器件的制作过程中，利用扩散工艺，不但可以复合原先掺杂的三价元素产生的空穴，而且因更多的五价元素的掺入可使自由电子成为多数载流子，从而形成N型半导体。 2.当PN结外加反向电压时，扩散电流大于还是小于漂移电流？此时的耗尽区宽度是如何变化的？ 答：加方向电压时，扩散电流小于漂移电流，此时，耗尽层宽度增加。;1. 什么是二极管的伏安??性？写出二极管的二极管方程，并讨论； 2. 稳压管是利用二极管的什么特性所制作形成的？列出稳压二极管的主要参数； ;i;7;2. 稳压管是利用二极管的什么特性所制作形成的？列出稳压二极管的主要参数；; 稳压管的参数主要有以下几项：;1. 要使三极管能进行放大，三极管的内部制作工艺和外加电源的条件是什么？ 2. 画出NPN三极管共射放大电路的输入特性曲线和输出输出特性曲线。 3. 简述三极管的主要参数及含义。 4. 习题1-10,1-13。 ;1. 要使三极管能进行放大，三极管的内部制作工艺和外加电源的条件是什么？;12;13;14;15;16;3. 简述三极管的主要参数及含义。;18;19;第二章 放大电路的基本原理和分析方法（分析掌握）;掌握单管共发射电路的基本分析方法： 静态分析（静态工作点，近似估计、图解法）； 动态分析（动态指标，微变等效电路法）； 正确理解放大电路的三种基本组态的特点； 正确理解温度变化对放大电路的影响，掌握分压式工作点稳定电路的基本原理和分析方法;微变等效电路法分析放大电路;(二) rbe 的近似估算公式;例题：下图所示电路中，Rc = 3 k?，Rb = 510 k?， RL = 3 k? ,rbb’=150 ?, UBEQ=0.7 V，NPN 硅管的 ? = 80， 试估算静态工作点，若Rb 值改为310 k?，静态工作点将发生何种变化; 试求电路的动态指标； 若所加信号源内阻Rs为2 k?，求Aus=Uo/Us. ;（1）静态工作点;;放大电路的三种基本组态的比较;第三章 放大电路的频率响应（理解）;掌握单频率响应的基本概念； 正确理解单管共射放大电路的fL和fH的估算方法，以及波特图的意义和画法；;RC高通电路