多晶型6H-SiC晶体成长之研究TheStudyof6H-SiC-远东科技大学.pdf

遠東學報第二十八卷第二期 中華民國一百六月出版 多晶型6H-SiC 晶體成長之研究 The Study of 6H-SiC Poly-type Crystal Growth 錢韋至 遠東科技大學電子工程系講師 摘 要 本文擬以物理氣相傳輸法，以碳化矽固態源昇華方式藉由質量傳輸，製 作多晶態之碳化矽晶體，並配合碳化矽之平衡相圖，從事碳化矽晶體成長溫 度與多晶態間之晶體成長研究，與光、電元件應用。於碳化矽晶體之成長溫 度與多晶態研究方面，我們將以X 光繞射儀，由Ｘ光繞射光譜解析晶體成長 特性與品質，此定量研究結果將決定昇華溫度之質量傳輸作用，對於碳化矽 晶體成長之實驗值極有幫助。於光電元件應用方面，研究碳化矽晶體基本特 性之分析，建立碳化矽基板與基本傳導性質。進而達成以下之基板特性：半 絕緣或低電阻係數( ＜0.12Ω ‧cm for n type) 、低表面粗糙度( ＜1.5 nm) 、低缺 陷密度( ＜250 pits/cm-2 of micropipe density) ，以符合現行光電產業所需之磊晶 基板標準。 關鍵詞 ：碳化矽