第三讲 Silvaco TCAD 器件仿真01.pptxVIP

光电子器件综合设计 -------器件仿真;本讲主要内容;器件仿真流程;器件结构;;;ATLAS描述器件结构;材料特性;物理模型;计算方法;特性获取和分析;了解一下ATLAS;本章介绍ATLAS器件仿真器中所用到的语句和参数。 具体包括：;1. 语法规则;解析： 在一个语句后的参数可以是单词或者数字。 单词可由字母和数字所组成的字符串。由空格（space）或回车 (carriage return)来终止。 例： region (OK) reg ion (wrong) 数字可以是数字也可以是字符串也是由空格（space）或回车 (carriage return)来终止。 例: 3.16 (OK) 3.1 6 (wrong) 数字的取值范围可以从1e-38 到 1e38 数字可以包含符号 + 或 – 或 E（十进制） 例： -3.1415 （OK）;规则3: 参数有4种类型;例如，在语句： DOPING UNIFORM CONCENTRATION=1E16 P.TYPE 中 解析： Doping 是语句名称 Uniform 和 p.tpye是两个逻辑型参数，在程序内部对应了逻辑值 CONCENTRATION=1E16 对应的是一个实数型参数。 每一个语句对应多个参数，这些参数代表了这个语句的某种属性，但都包含在4中参数之中。;温馨提示： （1）命令缩减 没有必要输入一个语句或参数名的全称。 ATLAS只需要用户输入足够的字符来区分于其他命令或参数。 例： 命令语句 DOP 等同于 doping， 可以作为其命令简写。 但建议不要过度简单，以免程序含糊不清，不利于将来调用时阅读。;2. 通过实例学语句;#调用atlas器件仿真器 go atlas #网格初始化 mesh space.mult=1.0 #x方向网格定义 x.mesh loc=0.00 spac=0.5 x.mesh loc=3.00 spac=0.2 x.mesh loc=5.00 spac=0.25 x.mesh loc=7.00 spac=0.25 x.mesh loc=9.00 spac=0.2 x.mesh loc=12.00 spac=0.5 #y方向网格定义 y.mesh loc=0.00 spac=0.1 y.mesh loc=1.00 spac=0.1 y.mesh loc=2.00 spac=0.2 y.mesh loc=5.00 spac=0.4 #定义区域 region num=1 silicon ;;;;解析： （1） 第一部分语句用来描述器件，包括网格参数（mesh）, 电极设置 （electrode locations）以及掺杂分布（doping distribution） 这是 一个具有重掺杂的浮动式环状保护区域的二维n类型器件，它分布 在结构的左右两边???肖特基阳极在器件顶端，重掺杂的阴极位于器件底端。;关键语句是设置肖特基接触 contact name=char (char表示接触的名称，用英文字符来表示比如 anode cathode) workf=val (val表示变量参数，用来设置功函数大小) 这个语句是用来设置肖特基电极的功函数的。 在这个例子里面，因为衬底是亲和能为4.17的n类型硅，所指定的功函数为4.97，这样提供了一个肖特基势垒的高度为0.8V. 默认的势垒高度是0. （一个完美的欧姆接触）这个条件是为阴极假定的。;语句和参数详解;mesh;mesh;#例1 设置初始网格均匀分布，为1.0微米 mesh space.mult=1.0 ;解析：以上建立了一个含有网格信息的12微米×5微米大小的区域。 n.MESH 定义沿着n方向的网格位置。 注意： x,y,z 方向上定义是等价的。 语法结构如下： X.MESH LOCATION=数值 SPACING=数值 Location定义了网格线的位置，Spacing定义了网格间隔。;#语句3 区域定义语句 region num=1 silicon 解析: region语句定义了材料的位置 每一个三角形都必须定义成一种材料。 语法结构如下： REGION NUMBER=n material [position] Numb