模电数电 电子资料-1.2.4 双极型三极管.ppt

* 1.2.4 双极型三极管 一、三极管的结构类型与工作原理 半导体三极管又称双极型晶体管(BJT),简称晶体管、三极管。 结构上它由2个PN结组成 因制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。 NPN型 PNP型 NPN型三极管 采用平面管制造工艺，在N＋型底层上形成两个PN结。 c：collector 集电极 b：base 基极 e：emitter 发射极 电路符号 结构图 工艺特点：三个区，两个结，引出三根电极 杂质浓度（e区掺杂浓度最高，b区较高，c 区最低）； 面积大小（c区最大，e区大，b区窄）。 集电区 发射区 基区 基极B 集电极C 发射极E 集电结 发射结 PNP型三极管 在P＋型底层上形成两个PN结。 NPN管导电原理 为使NPN管正常放大时的条件： 发射结正向偏置(VBE＞0) 集电结反偏向偏置(VCB＞0) ●因集电结反偏，因此这些少子将非常容易漂移到集电区，形成集电极电流ICN。 ●进入基区的电子成为基区的少子，其中小部分与基区的多子（ 空穴）复合，形成 电流，绝大部分继续向集电结扩散并达到集电结边缘； ●发射区的多子电子大量地向基区扩散（发射）； ●而基区和集电区本身的少子也要漂移到对方，形成反向饱和电流ICBO。 从而在内部形成了4种电子电流。 最终在三电极形成Ic、Ib、Ic电流。 内外电流关系： 晶体管的四种工作状态（由两个结的四种不同偏置决定） JE正偏，JC反偏：放大工作状态，应用在模拟电子电路中。 JE反偏，JC反偏：截止工作状态 JE反偏，JC正偏：倒置工作状态 较少应用(TTL门电路上) JE正偏，JC正偏：饱和工作状态 用在开关电路中 在交流信号作用下，晶体三极管组成放大电路时有三种基本组态，其中： 集电极不能作为输入端，基极不能作为输出端。（为什么？） 请从结构上加以理解。 共基极组态（CB） 输入：发射极 输出：集电极 公共端：基极 (此处接地) 信号源 负 载 VBE＞0，发射结正偏，VCB＞0（∵VCC＞VBB），集电结反偏。所以三极管工作在放大状态。 共发射极组态（CE） CE组态 信号输入 信号输出 共集电极组态（CC） CC组态 信号输入 信号输出 定义 共基组态时电流关系（放大状态） 称为共基极直流电流放大系数， ICBO称为集电结反向饱和电流，其值很小，常可忽略。 共射组态时电流关系（放大状态） 令 则 其中 为穿透电流 当 时， 称为共射极直流电流放大系数 穿透电流ICEO，其值较小，也常可忽略。 有 和 之间的关系 b a 无论哪种组态，器件工作在放大区时，输入电流对输出电流都具有控制作用，因此三极管是一种电流控制器件（CCCS)。并且共射极和共集电极组态还具有电流放大作用。 二、三极管的伏安特性曲线 1.共射极输入特性 基极电流iB与发射结电压vBE之间的关系 测量特性曲线电路 与二极管的正向特性相似，但当C-E间的电压增加时，特性曲线右移，当vCE＞1后，输入伏安特性曲线基本不变（原因？）。 三极管典型的输入特性曲线 2. 共射极输出特性 集电极电流iC与集-射间电压vCE之间的关系 截止区 饱和区 放大区 输出特性基本形状 截止区 发射结和集电结均反偏 硅管0.5V，锗管0.1V 等效电路 饱和区 发射结正偏，集电结正偏 为什么会饱和呢？ 集电结变成了正向偏置了。三极管进入了饱和工作区。 饱和的作图说明 因为： 将它作在输出特性曲线上，与iB=80μA特性交于Q点。 VCES ICS IBS 当集电结零偏(vCB=0)时称为临界饱和。VCES称饱和压降，ICS称集电极饱和电流，IBS称基极临界饱和电流。当iB＞IBS时，三极管进入深饱和。 VCES ICS IBS 晶体三极管进入饱和后 就不具备电流放大能力了，授控关系不成立了。 几个问题请思考： 饱和后三极管的集电极电流方向为什么还是从集电极流向发射极？ 饱和的机理？ 饱和区模型 等效电路 简化等效电路 放大区（授控区） 发射结正偏，集电结反偏 特征是iC仅受iB控制，与vCE的大小基本无关。 等效电路 放大区 *