Q_01 JH018-2019LYH30S1200D型碳化硅肖特基整流桥 组件详细规范.pdf

Q/JH 济南市晶恒电子有限公司企业标准 Q/01JH018-2019 半导体分立器件 LYH30S1200D型碳化硅肖特基整流桥 组件详细规范 2019-08-23 发布 2019-08-23 实施 济南市晶恒电子有限公司 批准 I Q/01JH018-2019 前 言 本规范是 GJB 33A-1997《半导体分立器件总规范》的相关详细规范。 本规范起草单位：济南市半导体元件实验所。 本规范主要起草人：王迎春、侯秀萍、郭海燕。 本规范批准人：卞岩。 I Q/01JH018-2019 半导体分立器件 LYH30S1200D型碳化硅肖特基整流桥组件 详细规范 1 范围 本规范规定了 LYH30S1200D 型碳化硅肖特基整流桥组件（以下简称器件）的详细要求。 2 引用文件 下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修 改单（不包括勘误的内容）或修改版本都不适用于本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版 本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。 GB/T 4023-1997 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3 部分：信号（包括开关）和调整二极管 GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3 要求 3.1 总则 LYH30S1200D 型碳化硅 肖特基整流桥组件应符合本规范和 GJB 33A-1997 规定的所有要求。本规范的 要求与通用规范不一致时，应以本规范为准。 3.2 设计、结构和材料 器件的设计、结构和外形尺寸应按 GJB 33A-1997和本规范的规定。 3.2.1 引出端材料和镀覆 引出