RM9000S高压线性驱动应用方案书.PDFVIP

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2019-11-20 发布于天津
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陕西亚成微电子股份有限公司 Reactor-Micro. Co., Ltd. RM9000S高压线性驱动应用方案书 2013.03.22 应用工程部目录  PCB  电路原理图/BOM  效率 温度测试  EMI测试图及数据  总结及特别说明 PCB RM9000S 18W 电路原理图元器件清单物料名称用量位置尺寸/要求保险丝 250V/1A 1 F1 Φ3*10mm 金属氧化膜电容 47nF/400V 1 C1 Resistor chip 1M,0.125W,±5%,SMD1206 3 R1 R2 R3 SMD1206 Resistor chip 5.1R,11R,0.125W,±5%,SMD1206 2 R5 R6 SMD1206 Resistor chip 2.7R,0.125W,±1%,SMD1206 1 R4 SMD1206 Resistor chip 680K,0.125W,±5%,SMD1206 3 R7 R9 R11 SMD1206 Resistor chip 6.2K,0.125W,±5%,SMD1206 3 R8 R10 R12 SMD1206 整流二极管 1N4007 4 D1 D2 D3 D4 Semi MOS 2N60 3 Q1 Q2 Q3 TO-252 设计算法 A ．输入功率Pin=Pin/ η 18/0.9=20W B．输入电流Lin_rms=Pin/Vin=20/220=90.9mA C．平均电流Iavg_led=2*1.414*lin_rms/3.14156=81.8mA D．参考电压Vref=0.64V （工作环境温度60℃） E．总取样电阻大小Rsense=2*Vref/lavg_led=15.6Ω F．Rs1=Rsense/2=7.8Ω G．Rs2=Rsense/6=2.6Ω H．Rs3=Rsense/3=5.2Ω 过压保护： OV1=Vpro*R8/ （R7+R8）= 0.7V OV2=Vpro*R10/ （R9+R10）= 0.7V 第三段导通时，保护电压考虑到市电波动留15%余量。 Opro=220*1.15*1.414-3.35*84≈76V （保护取77V ） OV3=Vpro*R12/ （R11+R12）=