器件仿真软件模块.PDF

ATLAS 器件仿真软件模块 S-Pisces/Device3D 2D 硅器件仿真器 S-Pisces是一个2D器件仿真器，应用于合并了漂流扩散和能量平衡传输方程的硅化技术。它拥有 大量的可用物理模型集合，包括表面/体积迁移率、复合、碰撞电离和隧道模型等。典型的应用包括 MOS,双极和BiCMOS技术。所有物理模型的性能已被扩展到深亚微米器件、SOI器件和非易失性存贮 器结构等。 它也可计算所有可测量的电学参数。对于MOS技术，这些参数包括门极和漏极特性，亚阈值漏电，衬 底电流和穿通电压。而双极技术则可预测Gummel 图和饱和曲线。其他可计算的特性包括击穿行为、 纽结和突返效应、CMOS闩锁效应、低温和高温操作、AC参数和本征开关时间。 完全MOS特性表征 右图描述的是寄生双极造成的 击穿曲线中的突返效应的仿 真。