薄膜物理与技术CH3-1-sr.pptx

第三章 薄膜的形成与生长;;;;;物理吸附 范德华力 作用范围大小（0.4nm） ;;① 概念：一个自由原子进入基体的作用力场以后，到达基体表面并被物理吸附，其吸附能表示为（根据能带理论）：;② 定量描述：;;③ 吸附原子在基片上的状态：;;;每个吸附原子的捕获面积：;;;讨论：;薄膜制备时，要达到完全凝结的工艺设计原则： 提高淀积速率 降低基片温度 选用吸附能大的基片;;;;;;;虽然开始时的生长是外延式的层状生长，但是由于薄膜与衬底之间晶格常数不匹配，因而随着沉积原子层的增加，应变能（应力）逐渐增加。为了松弛这部分能量，薄膜在生长到一定厚度之后，生长模式转化为岛状模式。 在Si的（111）晶面上外延生长GaAs,由于第一层拥有五个价电子的As原子不仅将使Si晶体表面的全部原子键得到饱和，而且As原子自身也不再倾向于与其他原子发生键合。这有效地降低了晶体的表面能，使得其后的沉积过程转变为三维的岛状生长。;在层状外延生长表面是表面能比较高的晶面时，为了降低表面能，薄膜力图将暴露的晶面改变为低能面，因此薄膜在生长到一定厚度之后，生长模式会由层状模式向岛状模式转变。 注：在上述三种模式转换机理中，开始的时候层状生长的自由能较低；但其后，岛状生长的自由能变低了，岛状生长反而变得更有利了。;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; 岛状结构的长大机制; 岛状结构的长大机制; 岛状结构的长大机制; Wullf 理论; Wullf 理论;; 在云母基体上蒸发Bi膜时，实验结果与理论计算基本一致。在基体温度较高，入射强度较低时，Bi为多晶结构；当基体温度较低，入射强度较高时，Bi容易形成外延膜。;;薄膜织构与基片温度 和蒸发材料熔点温度 的比值 相关。(Ek—粒子能量，取决于激发方式/气压P);;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;衬底;膜;;↓;大“鱼”(岛)吃小“鱼”(岛)的原因是：小岛具有更大的内压强。即小岛的化学势高于大岛的。是小鱼自己往大鱼嘴里钻。;*前提：1，薄膜能浸润衬底；2，入射粒子尺寸要足够小。;step-flow生长模式;衬底;举例：衬底缺陷（层错（等等））必然对薄膜生长有影响。