LED倒装制程介绍.pptVIP

预成型片 通过冶金法加工Au-Sn预成型片,相对便宜且易于实现,但很难 加工成焊接所需的很薄的焊片 蒸渡、溅射 采用溅射或蒸等真空沉积技术,可以提供更好的过程控制并能 减少氧化,但是成本高且加工周期长。 电镀 由于镀速缓慢且成分不能精确控制，在芯片上直接电镀制备 Au-20Sn 共晶凸点比较困难.目前采用的是连续电镀方式,即先镀 Au接着镀Sn,其外层的Sn易被氧化,共熔后Au-Sn的组分不好控制。 3 Au-Sn共晶的制备方法 3 Au-Sn共晶的制备方法 电镀工艺流程 3 Au-Sn共晶的制备方法 Au/Sn:10μm/10μm 150℃时效(a)5h; (b)10h 3 Au-Sn共晶的制备方法 Au/Sn:10μm/10μm 150℃时效(c)15h; (d)20h 3 Au-Sn共晶的制备方法 Au/Sn:10μm/10μm 150℃时效(e)25h 3 Au-Sn共晶的制备方法 Au/Sn:9μm/6μm 回流(a)10s; (b)60s 其实倒装晶片之所以被称为“倒装”是相对于传统的金属线键合连接方式（Wire Bonding）与植球后的工艺而言 的。传统的通过金属线键合与基板连接的晶片电气面朝上，而倒装晶片的电气面朝下，相当于将前者翻转过来， 故称其为“倒装晶片”。 目前GaN 基外延衬底材料有两大类：一类是以日本“日亚化学”为