《场效应器件物理1-4频率_5CMOS》-精选课件(公开).pptVIP

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  • 2019-11-25 发布于广西
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《场效应器件物理1-4频率_5CMOS》-精选课件(公开).ppt

半导体物理与器件;*;1.4 频率特性 模型概述;1.4 频率特性 MOSFET物理模型:交流小信号参数;1.4 频率特性 完整的小信号等效电路;1.4 频率特性 完整的小信号等效电路:VBS影响;1.4 频率特性 模型参数;1.4 频率特性 模型和模型参数特点:;1.4 频率特性 模型和模型参数特点:;1.4 频率特性 模型和模型参数特点:;1.4 频率特性 简化的小信号等效电路;1.4 频率特性 高频等效电路;1.4 频率特性 MOSFET频率限制因素;1.4 频率特性 电流-频率关系;1.4 频率特性 含有密勒电容等效电路;1.4 频率特性 截止频率推导;1.4 频率特性 提高频率特性途径;*;*;1.5 开关特性 开关原理;1.5 开关特性 什么是CMOS?;1.5 开关特性 CMOS反相器;1.5开关特性 开关时间;1.5 开关特性 CMOS实现;1.5 开关特性 CMOS的工艺类型;1.5 开关特性 版图;1.5 开关特性 MOSFET版图;1.5 开关特性 反相器版图;1.5 开关特性 CMOS与非门 ;1.5 开关特性 CMOS或非 ;1.5 开关特性 CMOS闩锁效应;1.5 开关特性 CMOS闩锁效应;*;1.6补充 温度特性;1.6补充 噪声特性 ;*;*;*;*;*;;11.7 小结 1; 11.7 小结 2; 11.7 小结 2;课前提问题(1);11.2 C-V曲线 什么因素会使C-V曲线平移? 什么因素会使C-V曲线的变化变缓? 11.3 MOSFET原理 在结构上MOSFET与MOS电容有何不同? 为什么MOSFET可以起到开关或放大的作用? 在MOSFET中,存在有哪几种类型的电荷? n沟道MOSFET处于饱和区时,VGS和VDS应满足何种条件? 11.4 频率特性 11.5 CMOS技术;重要术语解释;重要术语解释;知识点;复习题;END

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