《宽禁带半导体电力电子器件》.pptVIP

中国科学院微电子研究所;主要内容;宽禁带半导体材料优越的物理化学特性;器件产生的损耗减少 (导通电阻减至数分之一);表2 不同结构的SiC 电力电子器件的特点及研究现状;电力电子器件的发展趋势：; 3 研究内容; 3 研究内容;三、 研究目标、技术指标;技术路线：;（1）SiC器件物理和器件结构设计研究方案。 建立SiC材料合理的参数模型，包括载流子统计模型、迁移率模型、复合率模型、碰撞电离模型和隧道效应模型。对SiC肖特基结势垒二极管中的p 利用仿真模拟软件对SiC高压二极管器件的能带图、电场分布等特性进行仿真计算，分析器件中载流子输运机理，研究器件结构及场板、场环和结终端延伸等不同终端保护技术对器件击穿特性的影响机理，从而设计和优化器件结构，获得合理化器件结构。 对于IGBT器件，影响器件的阻断电压的主要因素，包括漂移层的厚度和载流子浓度；影响器件通态压降的因素，包括反型层沟道的迁移率、pnp晶体管的注入效率以及p型发射极的欧姆接触电阻等；影响器件的开关速度的因素，包括基区的少子寿命，厚度和掺杂浓度等。在此基础上，利用数学计算工具、仿真模拟软件等对SiC IGBT器件结构参数，包括阻挡层的厚度及掺杂浓度、漂移层的厚度及掺杂浓度、沟道长度、发射区掺杂及深度、基区掺杂及深度等器件结构参数和SiC的材料参数，包括载流子寿命、界面态密度等，对IGBT器件内部的能带图、电场分布，器件的转移特性、输出特性、击穿电压等静态特性，开关速度等动态特性，进行模拟仿真，分析器件器件结构参数和材料参数对器件性能的影响机理；合理解决器件通态压降与耐压、开关速度的折中关系。;（2）SiC器件制备关键技术研究方案。 SiC的欧姆接触的研究，通过快速热退火技术、传输线模型技术、变温I-V测试等技术，研究Ni、NiSi等金属在n型SiC材料上的欧姆接触、研究Ti、Ni、Pt、SiAl等金属在p型SiC材料的欧姆接触特性及其形成机理的研究；利用Trim软件模拟P、N、Al等离子注入在SiC中能量、深度、偏差和杂质浓度分布，改变离子注入后杂质激活退火的温度、时间、氛围、密封剂等工艺条件，研究离子注入形成欧姆接触高掺杂区及终端保护技术的制备研究；利用变温的I-V和C-V特性对Pd、Ni、Pt等金属与SiC材料肖特基接触进行研究，分析界面态对肖特基势垒高度的影响，分析器件的反向漏电机理；通过改变刻蚀气体的功率、流量配比等参数对SiC材料的刻蚀技术研究等。;（2）SiC器件制备关键技术研究方案。 利用变温I-V特性测试、表面成分分析测试等手段研究SiC欧姆接触的高温可靠性，分析欧姆接触的对器件失效机理的影响。通过变温I-V特性和变温C-V特性的测量，研究SiC材料和界面态对器件的失效机理等影响。通过仿真模拟软件研究不同温度对器件的静态和动态特性，和闩锁效应的影响。对器件的可靠性进行评估、对失效机理进行分析。; 四 研究基础;谢 谢！; 四 研究基础;主要内容;对于IGBT器件，影响器件的阻断电压的主要因素，包括漂移层的厚度和载流子浓度；影响器件通态压降的因素，包括反型层沟道的迁移率、pnp晶体管的注入效率以及p型发射极的欧姆接触电阻等；影响器件的开关速度的因素，包括基区的少子寿命，厚度和掺杂浓度等。在此基础上，利用数学计算工具、仿真模拟软件等对SiC IGBT器件结构参数，包括阻挡层的厚度及掺杂浓度、漂移层的厚度及掺杂浓度、沟道长度、发射区掺杂及深度、基区掺杂及深度等器件结构参数和SiC的材料参数，包括载流子寿命、界面态密度等，对IGBT器件内部的能带图、电场分布，器件的转移特性、输出特性、击穿电压等静态特性，开关速度等动态特性，进行模拟仿真，分析器件器件结构参数和材料参数对器件性能的影响机理；合理解决器件通态压降与耐压、开关速度的折中关系。;研究场限环、结终端延伸等终端保护技术对器件击穿特性的影响，包括场限环间距、宽度、掺杂浓度、结深度等因素，以及结终端延伸的长度、深度、浓度等因素对器件内部电场分布的影响，获得合理的结终端保护结构计，从而优化器件结构。;dsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8genklgb4klebtlkb5k tkeirh893y89ey698vhkrne lkhgi8eyokbnkdhf98hodf hxvy78fd678t9fdu90gys98y9shihixyv78dfhvifndovhf9f8yv9onvkobkw kjfegiudsfdbsy3