MOSFET参数与测试方法.docVIP

参数类别（物理特征）： 1、漏源电压系列 1.1、V(BR)DSS：漏源击穿电压 1.2、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数 1.3、VSD：二极管正向（源漏）电压 1.4、dV/dt：二极管恢复电压上升速率 2、栅源电压系列 2.1、VGS(TH)：开启电压 2.2、dVGS(TH)/dTJ：开启电压的温度系数 2.3、V(BR)GSS：漏源短路时栅源击穿电压 2.4、VGSR：反向栅源电压　　 3、其它电压系列 3.1、Vn：噪声电压 3.2、VGD：栅漏电压 3.3、Vsu：源衬底电压 3.4、Vdu：漏衬底电压3.5、Vgu：栅衬底电压 二、电流类参数 1、漏源电流系列 1.1、ID：最大DS电流 1.2、IDM：最大单脉冲DS电流 1.3、IAR：最大雪崩电流 1.4、IS：最大连续续流电流 1.5、ISM：最大单脉冲续流电流 1.6、IDSS：漏源漏电流 2、栅极电流系列 2.1、IGSS：栅极驱动（漏）电流 2.2、IGM：栅极脉冲电流2.3、IGP：栅极峰值电流 三、电荷类参数 1、Qg：栅极总充电电量 2、Qgs：栅源充电电量 3、Qgd：栅漏充电电量 4、Qrr：反向恢复充电电量 5、Ciss：输入电容=Cgs+Cgd 6、Coss：输出电容=Cds+Cgd 7、Crss：反向传输电容=Cgd 四、时间类参数 1、tr：漏源电流上升时间 2、tf：漏源电流下降时间 3、td-on：漏源导通延时时间 4、td-off：漏源关断延时时间 5、trr：反向恢复时间 五、能量类参数 1、PD：最大耗散功率 2、dPD/dTJ：最大耗散功率温度系数 3、EAR：重复雪崩能量 4、EAS：单脉冲雪崩能量 六、温度类参数 1、RJC：结到封装的热阻 2、RCS：封装到散热片的热阻 3、RJA：结到环境的热阻 4、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数 5、dVGS(TH)/dTJ：开启电压的温度系数 七、等效参数 1、RDSON：导通电阻 2、Gfs：跨导=dID/dVGS 3、LD：漏极引线电感 4、LS：源极引线电感 参数详解 1.1、V（BR）DSS：漏源击穿电压（也称BVDSS、VDSS） 定义：在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。 属性： V(BR)DSS是正温度系数，温度高时，漏源击穿电压比温度低时要大。 通常以25℃ 实际击穿电压通常略大于标称电压。 测试线路： 图1 测试方法： 1、按规范选取VCC2值、设定栅极连接方式、连接测量仪表、调整ID。 2、室温下夹取被测管放入测试座，监控ID，读取VDSS。 3、连续调节ID，并同步记录VDSS，即可测得VDSS_ID特性曲线。 1.2、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数 1.3、VSD：二极管正向（源漏）电压 1.4、dV/dt：二极管恢复电压上升速率 2.1、VGS（TH）：开启电压（又称VTH） 定义：所加的栅源电压能使流过漏极电流达到一个特定值时的电压值。 属性： VGS（TH）是负温度系数，这就意味着当温度上升时，功率管会在更低的栅源电压下开启。 测试线路路与测试方法参考VDSS测试。 2.2、dVGS(TH)/dTJ：开启电压的温度系数 2.3、V(BR)GSS：漏源短路时栅源击穿电压 2.4、VGSR：反向栅源电压　　 3.1、Vn：噪声电压 3.2、VGD：栅漏电压 3.3、Vsu：源衬底电压 3.4、Vdu：漏衬底电压3.5、Vgu：栅衬底电压 4.1、ID：最大DS电流 4.2、IDM：最大单脉冲DS电流 4.3、IAR：最大雪崩电流 4.4、IS：最大连续续流电流 4.5、ISM：最大单脉冲续流电流 4.6、IDSS：漏源漏电流 5.1、IGSS：栅极驱动（漏）电流 5.2、IGM：栅极脉冲电流5.3、IGP：栅极峰值电流 5.4、IGDO：源极开路时的截止栅电流5.5、IGSO：漏极开路时的截止栅电流 6.1、Qg：栅极总充电电量 6.2、Qgs：栅源充电电量 6.3、Qgd：栅漏充电电量 6.4、Qrr：反向恢复充电电量 6.5、Ciss：输入电容=Cgs+Cgd 6.6、Coss：输出电容=Cds+Cgd 6.7、Crss：反向传输电容=Cgd 7.1、tr：漏源电流上升时间 7.2、tf：漏源电流下降时间 7.3、td-on：漏源导通延时时间 7.4、td-off：漏源关断延时时间 7.5、trr：反向恢复时间 8.1、PD：最大耗散功率 8.2、dPD/dTJ：最大耗散功率温度系数 8.3、EAR：重复雪崩能量 8.4、EAS：单脉冲雪崩能量 9.1、RJC：结到封装的热阻 9.2、R