核效应分析正电子湮没技术-精选课件(公开).ppt

正电子湮没技术及其应用 Prediction of positron Discovery of antimatter 正电子的基本物理特性 正电子的来源（ Source of positron ） 正电子湮没 (Positron Annihilation) 正电子湮灭技术的应用 正电子湮灭技术现在已发展成为物理学家、冶金学家、生物学家和医生们的得力研究工具之一。 被研究的物质形态及其发展，包括金属、离子化合物、共价绝缘体化合物，半导体的高分子化合物，也包括固体的单晶、多晶、非晶体、液晶和生物膜等等。 正电子与物质相互作用，对于电子非常敏感，可用来研究物质结构方面的问题，如空位、空位团、位错以及微空洞和多种色心等原子尺度范围的缺陷。 由于慢正电子的入射动能很低，这项技术可用来研究固体纯真表面的电子态和结构缺陷，已成为表面物理学的一种重要研究手段。 医生们应用放射性正电子同位素，对药物作用于人体的过程予以示踪，一旦药物到达某一器官，探测湮灭产生的两条γ射线就能准确地被查出。 正电子湮灭技术对于金属材料经受高能粒子辐照后的退火研究是很有成效的。 如右图所示，通量为1.5×1015cm-2的快中子和通量为2×1016cm-2 的10Mev电子照射钼，然后对钼进行等时退火的研究。 中子辐照后的钼样品的寿命τ，约为300PS，而电子辐照后的钼样品，未退火的空洞分量的寿命τ约为200PS。当退火温度从1000C上升到4000C时，τ值都增加到约450PS。此后直到6000C，寿命值基本保持常数，此后随温度继续增加，寿命直增至～600PS。这些和用电子显微镜的研究结果是一致的。 正电子参数对空洞大小的依赖关系可用表面捕获概念来进行理论计算。这种计算不但对动量密度曲线能作出符合实际的描述，而且对10埃左右或更大一些空洞所预言的饱和正电子寿命值τ为～450PS，是相符合的，而且对含有空洞的钼样品（其空洞平均直径为9—45埃）所精确测定的正电子寿命值τ在～465PS左右保持不变的结果是一致的。由此可见，正电子寿命实际上反映了空洞的直径，因此正电子湮灭技术可以作为探测小空洞的生长情况和材料发生膨胀的一种敏感探针。 正电子湮灭辐射的角分布测量对于金属辐照损伤的研究也很灵敏。钼样品是放在中子通量达1022cm-2的反应堆中进行中子照射。通过正电子湮灭辐射角关联曲线测量表明：辐照后的钼样品角关联曲线变窄了很多。这种变化可以借助于理论（空洞形成）作定量的估算。 正电子湮灭技术比较早地用于研究离子晶体，并且已发展成为与传统方法不同的具有某些特点的方法。对于含有较低缺陷浓度的卤化碱样品所作的寿命谱测量表明：射入卤化碱的正电子的寿命谱表现础复杂的结构。例如：对于室温下的未处理过的KCl样品，测得的主要寿命有τ1≈190PS，τ2=464±30PS，τ3=774±45PS。这个结果表明：未经任何工艺处理的卤化物，并不能代表完整晶体中正电子行为。因为总是有杂质和缺陷存在，所观察到的某些谱成分可能就是由这类杂质和缺陷引起的。如图所表示的就是测得的LiCl晶体中正电子湮灭寿命谱，实验曲线可以分解为两个指数衰变曲线，确定出τ1=236×10-10S和τ2=435×10-10S。 LiCl 中分解成为两个指数衰变项的正电子湮灭寿命谱 生物组织中主要含有碳、氮和氧分别存在发射正电子的核素11C、14N和15O。如果利用这些放射正电子的核素合成有生理关系的标记化合物，如11Co, 11Co2, H215O 等，引入生物组织中，通过正电子与组织器官的相互作用，然后对发射的γ射线进行测量或测量或照像，就可以研究生物组织器官的新陈代谢，组织化学成分，血液循环，病理过程等课题。由于所使用的这些放射性核素的半衰期都不长，在人体中的照射量很小，因此不会或者很少造成对人体的损伤。由于以上个方面的特点，正电子湮灭技术对医学研究将成为很有发展前途的一项技术。近年来，正电子湮灭层析技术应哟内个于医学研究发展已引起医学界的十分重视。下面仅就正电子湮灭层析技术作一些简要介绍。 医学上应用的正电子湮灭层析技术简称正电子照相。它是利用含有发射正电子的核素的化合物（药剂）引入人体，产生湮灭辐射，穿过周围组织后被探测器记录，再利用计算机通过数学方法将记录的讯号重建成被测客体的图象，然后使图象在荧光屏幕上清晰地显示出来。正电子照相机结构原理如图4所示。 正电子照相机不仅能显示解剖性的图象，而且能对生理过程作体外显示，所以它具有能在体外对生理病变作定量分析的特点。正电子照相机不同于一般的γ照相机，它是由生物体自显影，能显示三维平面图象，而且能精确定位。由于湮灭技术发射的两条γ射