6压电、磁敏传感技术.ppt

当温度恒定时，在磁场内，磁阻与磁感应强度 B 的平方成正比。如果器件只有在电子参与导电的简单情况下，理论推导出来的磁阻效应方程为 式中 ρB ：磁感应强度为B时的电阻率； ρ0 ：零磁场下的电阻率； μ：电子迁移率； B ：磁感应强度。 当电阻率变化为Δρ＝ρB -ρ0时，则电阻率的相对变化为： Δρ/ρ0 = 0.273μ2B 2= Kμ2B 2 。 由此可知，磁场一定时迁移率越高的材料（如InSb、InAs和NiSb等半导体材料），其磁阻效应越明显。 磁敏电阻通常使用两种方法来制作：一种是在较长的元件片上用真空镀膜方法制成，如右图(a)所示的许多短路电极(光栅状)的元件；另一种是在结晶制作过程中有方向性地析出金属而制成磁敏电阻，如上图(b)所示。除此之外，还有圆盘形，中心和边缘处各有一电极，如上图(c)所示。磁敏电阻大多制成圆盘结构。 二、磁敏电阻的结构 磁阻效应除了与材料有关外，还与磁敏电阻的形状有关。若考虑其形状的影响。电阻率的相对变化与磁感应强度和迁移率的关系可表达为 式中：L、b分别为电阻的长和宽； 为形状效应系数。 各种形状的磁敏电阻，其磁阻与磁感应强度的关系如右