第8章_图像信息的光电变换-精选课件(公开).pptVIP

第8章 图像信息的光电变换 8.4 电荷耦合器件 8.4.1 线阵CCD图像传感器 彩色CCD显微照片（放大7000倍） CCD栅极电压的变化对耗尽区的影响 2. 电荷耦合 4. 电荷的注入和检测 (1) 光注入 所谓电注入就是CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，然后将信号电压或电流转换为信号电荷注入到相应的势阱中。 (3)电荷的检测(输出方式)-主要采用电流电路输出方式 1.驱动频率的下限 在信号的转移过程中，为了避免由于热激发少数载流子对注入信号电荷的干扰，注入信号电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t必须小于少数载流子的平均寿命 ； 工作温度越高，热激发少数载流子的平均寿命越短，驱动频率的下限越高。 这就是电荷自身的转移时间对驱动频率上限有限制 线阵CCD外形 8.4.2 面阵CCD图像传感器 CCD数码照相机 数码相机简称DC，它采用面阵CCD作为光电转换器件，将被摄物体的图像以数字形式记录在存储器中。 数码相机从外观看，也有光学镜头、取景器、对焦系统、光圈、内置电子闪光灯等，但比传统相机多了液晶显示器LCD，内部更有本质的区别，其快门结构也大不相同。 8.5 CMOS图像传感器 2. CMOS成像器件的像敏单元结构 8.5.2 典型CMOS图像传感器 (1) 成像器件的原理结构 由光敏阵列、转移栅、CCD模拟移位寄存器和输出放大器等单元构成； 光敏阵列一般由光栅控制的MOS光积分电容或PN结光电二极管构成； 1.单沟道线阵CCD 转移栅为低电平，光敏单元与CCD移位寄存器隔离，光敏区进行光电注入（光积分）； 转移栅电极电压转变为高电平，光敏区积累的电荷转移到移位寄存器中； 转移栅转变为低电平，移位寄存器在驱动脉冲的作用下，将信号电荷一位位地移出器件，并经放大形成时序信号. 2.双沟道线阵CCD 双沟道结构采用两相脉冲，使光敏元的两边都有移位寄存器，光积累后偶数像素中电荷移入下面的移位寄存器2，奇数像素中的电荷移入上面的移位寄存器1。然后将两个移位寄存器中信息按一定次序读出。 这种结构的优点双沟道线阵CCD要比单沟道线阵CCD的转移次数少一半，转移时间缩短一半 CCD在动态测量直径中的应用 在线测量拉伸过程中的细丝直径是比较困难的，但用CCD测量就比较方便。 CCD动态测量细丝直径的原理如图所示: 当一束平行光透过待测目标投射到CCD传感器上时，由于目标的存在，目标所形成的阴影同时投射到CCD上，若平行光准直度很理想，阴影的尺寸就代表了目标的直径。 CCD传感应用---- 阴影的尺寸代表了待测目标的直径，因此只要信号处理系统计算出阴影部分象元个数（输出脉冲个数)，脉冲（象元）与象元尺寸的乘积就是目标直径。 CCD的输出信号为一串幅值不同的方波，图中给出是经反向放大后的电压波形，该信号经二值化处理后由计数器计数。 设所用的CCD有N0个光敏元，每个光敏元的大小为13μ，计数器计数为N，则细丝直径D为： D＝13（N0-N） (μ) 按照一定的方式将一维线型CCD的光敏单元及其移位寄存器排列成二维阵列，即可构成二维面阵CCD； 按照排列方式的不同，面阵CCD分为帧转移方式、隔列转移方式、线转移方式和全帧转移方式等。 由成像区、暂存区和水平读出寄存器三部分构成； 成像区由并行排列的若干个电荷耦合沟道组成，各沟道之间用沟阻隔开，水平电极横贯各沟道； 暂存区的结构和单元数都与成像区相同，只不过均被金属铝遮蔽。 1.帧转移面阵CCD 在场正程（光积分）期间，成像区某一相电极为高电平，电荷被收集到这些电极下方的势阱中； 光积分周期结束，进入场逆程，加到成像区和暂存区电极上时钟脉冲将成像区所积累的电荷迅速转移到暂存区； 进入下一个场正程。暂存区与水平读出寄存器按行周期工作。在行逆程期间，信号电荷产生一行的平移；行正程期间，暂存区电位不变，水平读出寄存区在读出脉冲的作用下输出一行视频信号。 特点： 结构简单，光敏单元的尺寸可以很小； 但光敏面积占总面积的比例小。 帧转移面阵CCD 每一个相敏单元对应于两个遮光的读出寄存器单元； 每列相敏单元均被读出寄存器所隔； 2.隔列转移型面阵CCD 场正程期间像敏区进行光积分，此时转移栅为低电平；光积分的同时将上一场的电荷在垂直驱动脉冲的驱动下一行行地将每一列的信号电荷向水平移位寄存器转移； 场逆程期间转移栅上产生正脉冲，将像敏区的信号电荷并行的转移到垂直寄存器中。 和前两种方式比较取消了存储区，多了一个线寻址电路； 寻址电路选中某一行相敏单元，驱动脉冲将该行的电荷包按箭头方向移动，并移入输出寄存器