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电流镜 HIT Microelectronics 王永生 王永生 Harbin Institute of Technology Microelectronics Center 电流镜 CMOS模拟集成电路设计 带隙基准 带隙基准 * * 提纲 1、概述 2、与电源无关的偏置 3、与温度无关的基准 4、PTAT电流的产生 5、恒定Gm偏置 概述 * * 1、概述 基准 目的：建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流。 与温度关系： 与绝对温度成正比（PTAT） 常数Gm特性 与温度无关 与电源无关的偏置 * * 2、与电源无关的偏置 电流镜 与电源有关 电阻?IREF？ 与电源无关的电流镜 互相复制——“自举” 问题：电流可以是任意的！ 增加一个约束：RS 忽略沟道长度调制效应， 与电源无关的偏置 * * 忽略体效应， 则 VGS1 VGS2 消除体效应的方法： 在N阱工艺中，在P型管（PMOS）的上方加入电阻，而PMOS的源和衬连接在一起。 如果沟道长度调制效应可以忽略，则上述电路可以表现出很小的电源依赖性。因此，所有晶体管应采用长沟器件。 与电源无关的偏置 * * “简并”偏置点 电路可以稳定在两种不同的工作状态的一种。 Iout?0 电路允许Iout=0 增加启动电路，使电路在上电时摆脱简并偏置点。 启动电路的例子： 条件： 上电时提供通路：VTH1+VTH5+|VTH3|VDD 启动后保证M5关断：VGS1+VTH5+|VGS3|VDD 与温度无关的基准 * * 3、与温度无关的基准 3.1 负温度系数电压 对于一个双极器件， 而 计算VBE的温度系数（假设IC不变）， 则， 例， VBE?750mV，T=300K时， ?VBE/ ?T ?-1.5mV/K m?-3/2， VT=kT/q， 硅带隙能量Eg ?1.12eV 与温度无关的基准 * * 3.2 正温度系数电压 如果两个双极晶体管工作在不相等的电流密度下，那么它们的基极-发射极电压差值就与温度成正比。 则 例1：如果两个同样的晶体管偏置的集电极电流分别为nI0和I0，忽略基极电流，则 例2：如果如右图的两个晶体管偏置的集电极电流分别为nI0和I0，忽略基极电流，则 则，温度系数为(k/q)ln(mn) 与温度无关的基准 * * 3.3 带隙基准 室温下， ?1？ ?2lnn？ 令?1＝1，则 ?2lnn＝17.2，则得到零温度系数基准 ? VO2=VBE2+VTlnn 见右图，强制VO1=VO2, 与温度无关的基准 * * 3.3 带隙基准（续） 采用运算放大器，使X点和Y点近似相等。 讨论： 集电极电流变化 IC2 由于 有 （没有考虑IC变化时） 得到 IC2 与温度无关的基准 * * 3.3 带隙基准（续） 讨论（续） 与CMOS工艺兼容 在常规（标准）N阱CMOS工艺中，可以形成PNP型晶体管。 与温度无关的基准 * * 3.3 带隙基准（续） 讨论（续） 运放的失调 不接地， 工艺不兼容 与温度无关的基准 * * 3.3 带隙基准（续） 讨论（续） 反馈 负反馈系数 正反馈系数 正反馈应小于负反馈 与温度无关的基准 * * 3.3 带隙基准（续） 讨论（续） 何谓“带隙”？ =0 得到 电源高频抑制性能与启动问题 曲率校正 PTAT电流的产生 * * 4、PTAT电流的产生 PTAP电流 在带隙基准电路中，双极型管的偏置电流是与绝对温度成正比（PTAT）电流 简化的PTAP电路： 见右图，要使ID1=ID2，必须VX=VY,因此 此电路可以改为产生带隙基准电压的电路， 电流镜 * * 5、恒定Gm偏置 与电源无关的偏置电路是确定跨导的简单电路 =(CSfCK)-1 因此， 采用开关电容电路代替电阻可以达到更高的精度。 带隙基准 * * 小结 与电源无关的偏置 自举——互相复制 与温度无关的基准 负温度系数电路与正温度系数电路相加补偿 工艺兼容性；运放失调；反馈；稳定性；启动 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 * * * * Vref=1.25. How does we use the BGR? * * ? Feedback is employed in the reference generator. Loop stability must be ensured. ? The stability can be tested by observing the output step response. ? Capacitive loading at the output of reference generator has to be either ext