第四章 全控型电力电子器件.pptxVIP

第四章 全控型电力电子器件;4.1 典型全控型器件;4.1 典型全控型器件·引言;常用的典型全控型器件;晶闸管的一种派生器件。 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。;结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。;工作原理： 与普通晶闸管一样，可以用图1-7所示的双晶体管模型来分析。 ;GTO的阴极电流为;GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：; GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。;开通过程：与普通晶闸管相同 关断过程：与普通晶闸管有所不同 储存时间ts，抽出储存电荷，使等效晶体管退出饱和。 下降时间tf 尾部时间tt —残存载流子复合。 通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。 门极负脉冲电流幅值越大，ts越短。;GTO的主要参数;（3）最大可关断阳极电流IATO;四、GTO门极驱动电路 ;（1）导通触发　GTO在按一定频率的脉冲触发时，要求前沿陡、幅值高的强脉冲触发。;; 电力晶体管（Giant Transi