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- 2019-12-23 发布于湖北
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维普资讯 炭 3 2 ● 素 ● 技、 术 ) 一 云 ( 一 f >A 一 1∞ 詈 o一 O 3 2 ● O 3 2 ● O 2 3 ● O 3 2 ● O 20 0 5生 O 3 2 第 四 阶 段 —— 石 墨 负 电 极 电 位 在 0 0 0~ .0 2 0 0V(s i/ i范 围 内( l . 0 v.L L ) 图 的平 台 1 )在 3中 1 , I 增加 L i 的插 层 和脱层 时 的阻 力 , 降低 LB的充 、 I 放 电 比容量 。 2 2 不 同 电解 液对 形成 S I 的影响 . E 膜 此 期 间 L 从石 墨层 问脱 出 ,试 样 由 l阶 G C逐步 i I 转 变 为石 墨 。 那 末 能 否 找 到 一种 在 首 次充 电 过 程 中石 墨 表 面不 形成 S I 的电解 质呢? E膜 答案 是 否定 的。因 为 ,在 充 电过 程 中石 墨 负电 在 上 述 四个 阶 段 中 第 二 阶 段 —— 在 石 墨 负 电 极 表面形 成 S I 是至 关重 要 的 ,因为形 成 S I E膜 E 膜 要 消耗 “ 从 而增加 LB的不 可逆容 量 , 时还会 , I 同 极的 电位 必须 接近 0V V.L L) (S i i时
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