光电子器件第4章微光像增强器.pptVIP

4.5第一代像增强器 第一代像增强器是以纤维光学面板作为输入、输出窗三级级联耦合的像增强器。由于经过三级增强，因而第一代管具有很高的增益。 一代管以三级级联增强技术为特征，增益高达几万倍，但体积大，重量重 一代管的典型性能为：光灵敏度为300 ，辐射灵敏度(0.85)为20 ， 亮度增益为 ，分辨率为35 。一代管具有增益高、成像清晰的优点，但重量大，防强光能力差。 在实际应用中，为了获得更高的亮度增益，将完全相同的单级像管，用光学纤维面板进行多级耦合。因此像管的输入窗和输出窗都是由光学纤维面板制成，以便将球面像转换为平面像来完成级间耦合。由于每级像管都成倒像，所以稠合的级数多取单数，通常为三级。该像管称为第一代像增强器。 4.6 第二代像增强器 第二代像管与第一代像管的根本区别在于： 它不是用多级级联实现光电子倍增，而是采用在单级像管中设置微通道板来实现电子图像倍增的。 微通道板是两维空间的电子倍增器。微通道板是由大量平行堆集的微细单通道电子倍增器组成的薄板。通道孔径为5一10μm。通道内壁具有较高的二次电子发射系数。 在微通道板的两个端面之间施加直流电压形成电场。入射到通道内的电子在电场作用下，碰撞通道内壁产生二次电子。这些二次电子在电场力加速下不断碰撞通道内壁，直至由通道的输出端射出，实现连续倍增，达到增强电子图像的作用。 利用MCP（微通道板：在电阻管的内壁涂上具有二次电子发射内力的物质，以实现电荷的倍增）的像管称为第二代像增强器（二代管）。 锐聚焦——类似单级一代管，但在管子的荧光屏前放置一MCP，称为二代倒像管； 近贴聚焦——在光阴极和荧光屏之间双近贴放置MCP，荧光屏配制在纤维光学面板或光纤扭像器上，称为二代近贴管。 一、近贴式 MCP像管的结构 微通道板近贴于光阴极和荧光屏之间。构成两个近贴空间。因此又称为双近贴式像管。 由于采用了双近贴、均匀场，所以图像无畸变，放大率为 l，不倒像。同样由于近贴，会出现光阴极、 MCP、荧光屏三者之间的相互影响。 二、第2代静电聚焦倒像式像管的结构 微通道板与光阴极之间采用静电透镜，MCP置于电子透镜的像面位置； 像管中还在阳极与MCP之间设置一个消畸变电极。 由微通道板增强后的电子图像通过近贴聚焦到荧光屏上。由于在荧光屏上所成的像，相对于光阴极上的像来说是倒像，因此称为倒像管。 微通道扳的输出端，由于连续倍增其电子密度较高、速度快，易于使像管内残余气体分子电离。如果电离产生的正离子轰击光阴极将降低像管的寿命。当微通道扳输入端电位低于阳极电位时，则形成一个防止正离子反馈的位垒。这个位垒一方面阻止正离子另—方面又收集微通道板端面上产生的二次电子，从而消除了光晕现象。 由于微通道板本身具有高增益、增益可控、电流饱和等待性，因此第二代像管，无论近贴式或倒像式与第一代像管相比，均具有体积小、重量轻、亮度可调、防强光等优点 二代管采用了不同于一代管的增益机构-MCP，MCP由上百万个紧密排列的空芯通道管组成。通道芯径间距约12，长径比为40—60。通道的内壁具有较高的二次电子发射特性，入射到通道的初始电子在电场作用下使激发出来的电子依次倍增，从而在输出端获得很高的增益。MCP的两个端面镀镍，构成输入和输出电极。 4.7 第三代像增强器 第三代像增强器是在二代近贴管的基础上，将三碱光电阴极置换为GaAs NEA光阴极。NEA 光电阴极的制作过程极为复杂。但光灵敏度性能较一、二代多碱光阴极提高2-3倍。光谱响应向红外延伸，与夜天光辐射光谱更匹配，视距增大1.5-2倍。 第三代像管是采用了负电子亲和势光阴极的像管。 电子亲和势（能）——晶格中原子捕获一个电子成为负离子所释放出的能量。 由于目前还只能在乎面上制做负电子亲和势阴极，所以它的结构与第二代近贴式像管类似，其根本区别在于光阴极。第一代像管采用的是表面具有正电子亲和势的多晶薄膜结构的多碱光阴极．其光灵敏度约为250 — 550uA/lm；而第三代像管采用的负电子亲和势光阴极，它的光灵敏度高达l000uA/lm 以上。因此第三代像管具有高增益、低噪声的优点。 负电子亲和势是热化电子发射，光电子的初动能较低，能量又比较集中，因此第三代像管又具有较高的图像分辨力。由于这些特点使第三代像管成为目前性能最优越的直视型光电成像器件。 图3-11 4.8． X射线变像管和