半导体制造技术-第十章-(公开课件).pptVIP

半导体制造技术 硅表面SiO2的简单实现，是硅材料被广泛应用的一个重要因素。本章中，将介绍SiO2的生长工艺及用途、氧化反应的不同方法，其中包括快速热氧化工艺。另外，还简单介绍本工艺中最重要的部分---反应炉，因为它是氧化、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设备。 工艺中硅曝露需要的热能称为热预算。半导体工艺的目标之一是尽量降低硅需要的热能。一般通过降温或减少时间使热预算最小。 SiO2膜的原子结构如图所示。它是由一个硅原子被4个氧样原子包围着的四面体单元组成的。是一种无定型的玻璃状结构，具体地说是一种近程有序的网状结构，没有长程有序的晶格周期。 氧化膜的应用 器件保护和隔离 表面钝化(保护) – Screen oxide, pad oxide, barrier oxide 栅氧电介质 掺杂阻挡 金属间的介质层 器件保护和隔离 LOCOS STI LOCOS工艺流程 缺点： 1、鸟嘴侵蚀有源区； 2、不利于后序工艺中的平坦化； 3、杂质重新分布。 改进的LOCOS工艺 回刻的LOCOS工艺 侧墙掩蔽的隔离工艺 多晶硅缓冲层的LOCOS工艺（PBL） 浅槽隔离（STI） STL 不会产生鸟嘴 更平坦的表面 更多的工艺步骤 LOCOS 工艺相对简单，便宜，高产率 当特征尺寸 0.35 um不再适用 表面钝化 Pad Oxide衬垫氧化层 S