《电工电子技术》第5章常用半导体器件.pptVIP

5.5.1 基本结构和工作原理 P型硅衬底 源极 栅极 漏极 P N N G S D SiO2绝缘层 两个N区 衬底引线 1. 基本结构 N沟道增强型 金属铝 导电沟道 G S D 源极 栅极 漏极 N沟道耗尽型 预埋了导电沟道 G S D P N N G S D G S D P沟道增强型 N P P G S D 源极 栅极 漏极 P沟道耗尽型 G S D 预埋了导电沟道 N P P G S D 2. MOS管的工作原理 以N沟道增强型为例 UDS UGS P N N G S D P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSUTH）感应出足够多电子，这里以电子导电为主出现N型的导电沟道。 感应出电子 UTH称为开启电压 P N N G S D UDS UGS UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 5.5.2 增强型N沟道MOS管的特性曲线 0 ID UGS VT 跨导： UGS对ID的控制能力 当漏源间电压U DS 保持一定值时，漏极电流ID与栅源极电压UGS的关系曲线。 1. 转移特性 当栅源间电压UGS ? UTH 并保持一定值时，漏极电流ID与漏源极电压U DS的关系曲线 ID U DS 0 UG