有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性.docVIP

　第19卷第10期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　V o l . 19, N o . 10　　1998年10月　　　　　　CH I N ESE JOU RNAL O F SE M I CONDU CTOR S 　　　　　　O ct . , 1998　 　3本项目为山东省自然科学基金资助项目 赵俊卿　女, 1964年出生, 博士生, 从事柔性衬底ITO 膜的研究 马　瑾　男, 1960年生出, 副教授, 从事半导体薄膜的研究 马洪磊　男, 1939年出生, 教授, 博导, 从事半导体薄膜的研究 1997210214收到, 1998201216定稿 有机薄膜衬底IT O 透明导电膜 的结构和光电特性3 赵俊卿　马　瑾　李淑英　马洪磊 (山东大学光电所　济南　250100 摘要　我们用反应蒸发法在氧分压2×10-2Pa 、衬底温度80～240℃条件下蒸发铟2锡合金, 在 有机薄膜衬底上制备出ITO 膜, 并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化. 制备膜 的最佳取向为(111 方向, 迁移率为2017～3617c m 2?V -1?s -1, 载流子浓度为(117 ～414 ×1020c m -3, 适当调节制备参数, 可得电阻率为6163×10-48?c m 、在可见光区透过率达82%的 有机薄膜衬底ITO 膜. PACC :8115G , 7360F , 7865