《半导体物理第三章》-公开课件.pptVIP

所谓本征半导体就是一块没有杂质和缺陷的半导体。在热力学温度零度时，价带中的全部量子态都被电子占据，而导带中的量子态都是空的，也就是说，半导体中共价键是饱和的、完整的。 当半导体的温度 T0K时，就有电子从价带激发到导带去，同时价带中产生了空穴，这就是所谓的本征激发。由于电子和空穴成对产生，导带中的电子浓度 n0应等于价带中的空穴浓度 p0，即n0= p0 例外 InSb（锑化铟） Eg=0.17ev，而mp*/mn*=32,本征费米能级Ei已经远在中线之上。 式中Eg = Ec－Ev，为禁带宽度。从上式看出，一定的半导体材料，其本征载流子浓度ni随温度的升高而迅速增加;不同的半导体材料，在同一温度T时，禁带宽度越大，本征载流子浓度 ni就越小。 一般半导体器件中，载流子主要来源于杂质电离，而将本征激发忽略不计。 在本征载流子浓度没有超过杂质电离所提供的载流子浓度的温度范围，如果杂质全部电离，载流子浓度是一定的，器件就能稳定工作。 但是随着温度的升高，本征载流子浓度迅速地增加。例如在室温附近，纯硅的温度每升高 8K左右，本征载流子浓度就增加约一倍。而纯锗的温度每升高 12K左右，本征载流子浓度就增加约一倍。当温度足够高时，本征激发占主要地位，器件将不能正常工作。 因此，每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度后，器件就失效了。 例如，一般硅平面管采用室温