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第 1 章 半导体器件
了解半导体的特性和导电方式,理解PN 结的单向导电特性。
了解半导体二极管、三极管的结构。
理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。
理解双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。
了解MOS 场效应管的伏安特性、主要参数及其与双极型三极管的性能
比较。
半导体器件是用半导体材料制成的电子器件,是构成各种电子电路最基本的
核心元件。电子技术就是研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。
半导体器件具有体积小、重量轻、功耗低、使用寿命长等优点,在现代工业、
农业、科学技术、国防等各个领域得到了广泛的应用。
半导体二极管和三极管是最常用的半导体器件。它们的基本结构、工作原理、
伏安特性和主要参数是学习电子技术和分析电子电路必不可少的基础,而 PN 结
又是构成各种半导体器件的共同基础。
本章首先介绍半导体的导电特性、PN 结及其单向导电性。在此基础上,介绍
半导体二极管、双极型三极管和绝缘栅型场效应管的基本结构、工作原理、伏安
特性和主要参数,为以后的学习打下基础。
1.1 PN 结
自然界中存在着各种物质,按导电能力的强弱可以分为导体、半导体和绝缘
体。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,主要有硅、锗、硒、砷化镓和氧
化物、硫化物等。
半导体之所以被重视,是因为很多半导体的导电能力在不同的条件下有着显
著的差异。例如,有些半导体如钴、锰、硒等的氧化物对温度的反应特别灵敏,
环境温度升高时,它们的导电能力会明显增强。利用这种热敏特性可制成各种热
2 电子技术 (第二版)
敏元件。又如,有些半导体如镉、铝的硫化物和硒化物等受到光照射时,它们的
导电能力会变得很强;当无光照射时,又变得像绝缘体那样不导电。利用这种光
敏特性可制成各种光敏元件。
更为重要的是,如果在纯净的半导体中掺入微量的杂质元素,其导电能力会
猛增到几千、几万甚至上百万倍。利用半导体的这种掺杂特性可制成种类繁多的
具有不同用途的半导体器件,如半导体二极管、半导体三极管、场效应管等。
1.1.1 半导体的导电特征
1.本征半导体
目前用来制造半导体器件的材料主要是硅(Si)、锗 (Ge )等。硅和锗半导体
材料经高纯度提炼后,其原子排列已变成非常整齐的状态,称为单晶体,也称为
本征半导体。
硅和锗的原子结构示意图如图 1.1 所示。它们的最外层电子轨道上都有4 个
电子,最外层的电子称为价电子,即硅和锗都是四价元素。最外层具有8 个电子
的原子才是稳定状态,所以,在本征半导体中,每个原子与相邻的4 个原子结合,
每一原子的4 个价电子分别为相邻的4 个原子所共有,组成所谓的共价键结构,
如图1.2 所示。
+14 +32 +4
(a )硅原子结构 (b )锗原子结构 (c )简化模型
图1.1 硅和锗的原子结构示意图
共价键中的电子不像绝缘体中的价电子被束缚得那样紧。一些电子获得一定
能量 (温度升高或受光照射)后,可能挣脱束缚 (电子受到激发)而成为自由电
子,使半导体材料具有了一定的导电能力。同时在这些自由电子原来的位置上留
下空位,称为空穴。电子和空穴成对出现,称为电子空穴对。空穴因失掉一个电
子而带正电。由于正负电的相互吸引,空穴附近的电子会填补这个空位,于是又
会产生新的空穴,又会有相邻的电子来替补,如此进行下去就形成了空穴运动,
如图1.3 所示。
自由电子和空穴都是载运电荷的粒子,称为载流子。由此可见,半导体材料
在外加电压作用下出现的电流是由自由电子和空穴两种载流子的运动形成的。这
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