CIGS薄膜太阳能电池之单靶溅镀制程及应用.docVIP

CIG S薄膜太阳能电池之单靶溅镀制程及应用 黄文啓 (台湾威奈联合科技股份有限公司,中国　台湾 摘　要:运用溶剂浴热法合成四元化合物Cu(In GaSe2粉末,利用XRD、SEM、XRF及UV-Vis测定其晶相结构、形貌、成分比例及能隙后,压制成靶材,以单源靶溅镀方式溅镀薄膜,采用in-line sputter技术制造出薄膜太阳能电池模块,其转换效率达10%。单靶溅镀制程实现自动化、制程简单,设备维护成本低。 关键词:Cu(In G aSe2;薄膜太阳能电池;磁控溅镀 中图分类号:TM914.4+2　　文献标识码:A 1　薄膜太阳能电池 自20世纪以来,地球每年平均温度不断上升,其中温室气体浓度升高更是造成地球温度上升的主要原因之一,而随着石油、煤矿、天然气以及各种能源价格的高涨,发展无污染又兼具永续发展的替代性能源,已成为各国关注的议题。太阳能、潮汐能、生质能、地热能、对流能、水力发电等,都属于此范畴[1]。 太阳能[2]最具发展潜力,其应用范围宽广、利用率及可行性较高。太阳能电池产生电力的来源取之不尽、用之不竭,太阳光照射整个地球表面1 h内的能量约为5×1020J,约可供全人类使用1 a,只要有太阳的地方,就可以使用太阳能板来发电。 一般高效率的硅太阳能电池是以单晶硅掺杂Ⅲ、Ⅴ族的元素作为半导体吸收层,由于单晶硅近年来需求增大、价格抬高,使得整个模块的价格无法降低,以致发电成本不符合经济效益。为了推进太阳能电池的大面积应用,发展薄膜太阳能电池[3]也成为必然趋势。 薄膜太阳能电池可大幅节省原物料使用量,其厚度约为硅晶圆的1/50(5/250μm,并可在价格低廉的玻璃、塑料或不锈钢基板上制造。大面积太阳能板可广泛布置于发电厂建筑,或与建筑物(住宅商业和工业大楼整合,还能配置在交通工具、电子消费组件上作为电源的来源。 太阳能电池结构中吸收层材料深具研究价值。铜铟镓二硒(copper indium gallium dise2 lenide,CIGS为目前全世界公认的最佳薄膜太阳能电池材料,主要是由于CIGS为直接能隙的半导体材料,其能隙值涵盖大部分之太阳光谱,具有相当高的光吸收系数,并可根据调变本身的组成来改变其能隙大小,因此十分适合用来作为高效率太阳能电池之主吸收层材料[4]。 在转换效率方面,CIGS太阳能电池在标准环境测试下可达19.95%(N REL,2006,超过单晶硅和多晶硅14%~16%的转换效率[5]。此外,CIGS薄膜太阳能电池的制造技术均较单晶硅与多晶硅太阳能电池简易,且成本低,目前市场上大多以共蒸镀(co2evaporation,或硒化法制作CIGS太阳能电池[6,7]。 近年来,CIGS薄膜太阳能电池以其制程简单、设备成本低、转换效率高、生产不受上游原物料影响、材料成本低等优点,深受学术界以及产业界的重视。 2　实验方法与结果 有别于传统制程,威奈联合科技公司的CIGS 薄膜太阳能电池的制程分成两部分,分别为CIGS 粉末合成与CIGS薄膜太阳能电池制造。 2.1　CIG S粉末合成 威奈联合科技公司利用溶剂浴热法(solvo2 t hermal route合成吸光层CIGS粉末,经检测仪器分析后,经高温、高压方式制成靶材,再使用单源溅镀方式制造CIGS薄膜太阳能电池。 溶剂浴热法是在130~250℃下操作,所制得的粉末具有团聚少、纯度高、结晶性高、均相化、粒径分布窄等特征。利用溶剂浴热法合成CIGS粉末,反应在惰性气体下进行[8]。将CuCl2、InCl3、GaCl3、Na2Se加入有机胺化物的乙二胺中搅拌,以乙二胺作为螯合溶剂;螯合溶剂是指可与金属 — 1 5 3 — 2009年第5期上海电力提高能源利用效率 形成配位共价键的多芽配位基[9]。 该类溶剂具有极佳的配位功能,除了具备对金属化合物之螯合能力,在实验中更可以吸收合成反应所释放的多余热量,并可增加前驱盐在溶剂中的溶解度,以驱使其完全反应。 在合成机制上,CIGS 粉末合成反应如下:2InCl 3+3Na 2Se →In 2Se 3+6NaCl 2GaCl 3+3Na 2Se →Ga 2Se 3+6NaCl In 2Se 3+Se 2-→2InSe 2-Ga 2Se 3+Se 2-→2GaSe 2- Cu ++2en →[Cu (en 2]+ [Cu (en 2]++xInSe 2-+1-x GaSe 2-→Cu (In x Ga 1-x Se 2+2en 乙二胺在合成材料中占有极重要的角色,该 溶剂的N -螯合基可与Cu +离子形成稳定的[Cu (en 2]+错合物[10],并与In 2Se 3、Ga 2Se 3合成黄铜矿结构之Cu (In x Ga 1-x Se 2粉末[11]。XRD (图1分析出主峰位置与强度,均与J CPDS (#