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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 隧道二极管(tunneldiode),又名江崎(Esaki)二极管,一种两端半导体结型器件。此管是由日本人江崎于1957年发明的。它不具有普通的整流作用,在正向偏置下,正向电流一开始随电压的增加而迅速上升达到极大值,随后随电压的增大电流反而减小产生负阻现象。反向时,反向电流随反向偏压增大而迅速增加,相当于短路。这是由于在二极管的p区和n区均为重掺杂,通常称为隧道结,隧道结中势垒区很薄,约为10-2μm,是一般pn结的1。由于量子力学的隧道效应,n区导带的电子可能穿过禁带到p区的价带,p区价带电子也可穿过禁带到n区导带,从而产生隧道电流。这样使得在零偏附近和所有负偏条件下电流均能自由通过。由于它具有正向负阻特性,而且是利用多子隧道效应工作的,所以隧道二极管具有多种用途。它具有噪声低、工作温度范围大,可在极高频工作等优点,能在高频电路中用作放大、振荡和开关等的有源元件。 (5)隧道二极管 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 解:Schr?dinger 方程: 求能量本征值和本征函数。 例2. 荷电 q 的谐振子,受到沿 x 方向外电场 ? 的作用,其势场为: (1)解题思路 势V(x)是在谐振子势上叠加上-q ? x项,该项是x 的一次项,而振子势是二次项。如果我们能把这样的势场重新整理成坐标变量平方形式,就有可能利用已知的线性谐振子的结果。 (2)改写 V(x) (3)Hamilton量 进行坐标变换: 则 Hamilton 量变为: (4)Schr?dinger 方程 新坐标下 Schr?dinger 方程改写为: 本 征 能 量 利用已有结果得: 本 征 函 数 §2.8 势垒贯穿 一、引言 二、方程求解 三、讨论 四、应用实例 一、引言 现在的问题是已知粒子以能量 E 沿 x 正向入射。 0 a V(x) V0 I II III E 势垒穿透是粒子入射被势垒散射的一维运动问题。典型势 垒是方势垒,其定义如下: …(1) 二、方程求解 1、E V0 情况 上述三个区域的 Schr?dinger 方程可写为: …(2) I区 II区 III 区 …(3) …(4) 因为 E 0, E V0, 所以 k1 0,k2 0. 上面的方程可 改写为: …(5) …(6) 定态波函数是ψ1,ψ2,ψ3 分别乘以含时因子 exp[-iEt/?]。 (6)式 ψ1 中第一项是沿 x 正向传播的平面波,第二项是沿 x 负向传播的平面波。由于在 x a 的III 区没有反射波,所以 C=0,于是解为: (1) 波函数连续 利用波函数标准条件来定系数。首先, 解单值、有限条件满足。 …(7) …(8) 综合整理记之 (2) 波函数导数连续 …(9) …(10) …(11) …(12) (3) 求解线性方程组 (4) 透射系数和反射系数 求解方程组得: 为了定量描述入射粒子透射势垒的几率和被势垒反射的几率,定义 透射系数和反射系数。 …(13) …(14) 其物理意义是:描述贯穿到 x a 的 III区中的粒子在单 位时间内流过垂直 x 方向的单位面积的数目与入射粒子(在 x 0 的 I 区)在单位时间内流过垂直于x方向单位面积的数 目之比。 下面求 D 和 R (a) 透射系数: 透射波几率流密度与入射波几率流密度之比称为透射系数 D = JD/JI (b)反射系数: 反射波几率流密度与入射波几率流密度之比称为反射系数 R = JR/JI …(15) …(16) 几率流密度矢量: 则入射波几率流密度: 对一维定态问题,J 与时间无关,所以入射波Ψ = Aexp[ik1x];ψ* = A* exp[-ik1x] 反射波ψ= Aexp[-ik1x],所以反射波几率流密度: 其中负号表示与入射波方向相反。 …(17) …(18) …(19) 对透射波ψ= Cexp[ik1x],所以透射波几率流密度: 于是透射系数为: …(20) …(21) …(22) 由以上二式显然有 D+R=1,说明入射粒子一部分贯穿势 垒到 x a 的III区,另一部分则被势垒反射回来。 同理得反
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