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- 2020-04-10 发布于上海
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主要内容;研究背景及意义;非晶硅
TFT;;氧化物TFT的偏压不稳定性;氧化物TFT的偏压不稳定性;氧化物TFT的偏压不稳定性;氧化物TFT的光照不稳定性;氧化物TFT的光照不稳定性;氧化物TFT的光照不稳定性;;制备工艺和影响;制备工艺和影响;制备工艺和影响;制备工艺和影响;总结;下一步计划;实验参数:
SiO2
衬底温度:400°C
激光能量:320mJ
激光频率: 10Hz
氧分压:10mTorr
沉积时间:60min
SnO2:Sb
衬底温度-250°C 350°C 450°C 550°C
激光能量-200mJ 250mJ 300mJ 350mJ
激光频率-10Hz 15Hz 20Hz 25Hz
氧分压---5mTorr 20mTorr 35mTorr 50mTorr
沉积时间-40min
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