可见光对tft的性能影响.pptxVIP

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  • 2020-04-10 发布于上海
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主要内容;研究背景及意义;非晶硅 TFT;;氧化物TFT的偏压不稳定性;氧化物TFT的偏压不稳定性;氧化物TFT的偏压不稳定性;氧化物TFT的光照不稳定性;氧化物TFT的光照不稳定性;氧化物TFT的光照不稳定性;;制备工艺和影响;制备工艺和影响;制备工艺和影响;制备工艺和影响;总结;下一步计划;实验参数: SiO2 衬底温度:400°C 激光能量:320mJ 激光频率: 10Hz 氧分压:10mTorr 沉积时间:60min SnO2:Sb 衬底温度-250°C 350°C 450°C 550°C 激光能量-200mJ 250mJ 300mJ 350mJ 激光频率-10Hz 15Hz 20Hz 25Hz 氧分压---5mTorr 20mTorr 35mTorr 50mTorr 沉积时间-40min ;Thanks for your attention!

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