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- 2019-12-28 发布于天津
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bq76200
ZHCSED8 – NOVEMBER 2015
bq76200 高高压压电电池池组组前前端端充充电电/放放电电高高侧侧NFET 驱驱动动器器
1 特特性性 3 说说明明
1 • CHG 和 DSG 高侧 N 沟道金属氧化物半导体 bq76200 器件是一款低功耗、高侧 N 沟道系统。高侧
(NMOS) 场效应晶体管(FET) 驱动器,可控制电池 保护可防止系统的接地引脚断开连接,同时允许电池组
保护快速 FET 导通和关断次数 与主机系统之间进行持续通信。该器件的附加 P 沟道
• 预充电P 沟道场效应晶体管(PFET) 驱动器 (用于 FET 控制功能支持对深度耗尽型电池进行低电流预充
为显著耗尽的电池组进行限流预充电)
电,其 PACK+ 电压监控控制功能支持主机感测
• 独立的数字使能充/放电控制
PACK+ 电压。
• 所需外部组件最少
• 基于可扩展外部电容的电荷泵,适用于不同范围内 独立的使能输入允许单独导通和关断CHG 与DSG
的并行FET FET,从而提供灵活的电池系统实施方案。
• 耐受高压 (绝对最高电压为 100V)
bq76200 器件可与配套的模拟前端器件搭配使用,例
• 使能电池组电压感测的内部开关 如bq76920/30/40 系列、3 节至 15 节电池模拟前端监
• 支持通用和独立的充/放电路径配置 控以及主机微控制器或专用的充电状态(SOC) 跟踪电
• 设计为直接与bq76940、bq76930 和bq76920 电 量监测计器件。
池监控器搭配使用
• 电流消耗:
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