非晶合变压器培训.ppt

温度敏感性－导磁力、温度与组成元素的关系 磁饱和感应强度Bm同材料的化学组成有紧密关系，在材料制造过程中可以通过改变元素的组成来控制材料的Bm值。 目前，用于电力变压器非晶合金一般由80％的铁和20％的硼和硅组成，Bm值在 1.55T左右。 英赛非晶技术 * 温度敏感性－损耗与温度的关系 非晶合金的单位损耗、励磁容量与运行温度的关系。 当磁密低于两曲线的交叉点处时，铁心损耗的大小与温度成反比，这同硅钢片的损耗的温度敏感性是一致的，是由温度升高电阻率上升而导致涡流损耗下降造成的。 当磁密超过交叉点处时，损耗曲线的斜率随温度升高而增大，上升速率加快，损耗大小与温度成正比。(设计元素之一） 英赛非晶技术 * 典型退火曲线 退火能消除应力，改善铁心性能，降低损耗。 保温温度的下限： 在一般在310℃以上，可消除急冷引起的内应力 上限：则要小于材料的居里温度 为了使非晶合金得到最理想的磁特性，需在磁场中退火，退火时的外磁场大小应使非晶合金在退火过程中接近磁饱和。 英赛非晶技术 * AMDT 典型结构: --- 单相心式 --- 单相壳式 --- 三相四框五柱式 AMDT 典型结构形式 英赛非晶技术 * 非晶卷铁心的关合 AMDT Amorphous Core 英赛非晶技术 * 非晶铁芯性能测试 AMDT Amorphous Core Test 英赛非晶技术 * AMDT 典型结构: 单相 AMDT 外形结构 英赛非晶技术 * AMDT 典型结构: 三相（四框五柱式） AMDT 外形结构 英赛非晶技术 * 电费节约 直接比较年节电费用 （考虑直观和计算方便，忽略无功损耗和负载率的影响） 英赛非晶技术 * 节能效果 考虑无功分量和负载率时，节约能耗计算： 英赛非晶技术 * 性价比评估 结论： 假设非晶合金变压器的售价是S9变压器的1.5倍时，TOC法测算的非晶变压器性价比比S9高9%。 以上计算选用的是最保守的A/B值，当A与B的比值取国际上通行的中间值5时，TOC法测算的非晶变压器性价比将比S9高达20%。 英赛非晶技术 * 节能效果 TOC评估 英赛非晶技术 * 节能效果 Payback 投资回收期 英赛非晶技术 * 制造非晶变压器牵涉到的五大关键技术： AMDT制造技术 1. 变压器内核受力结构（设计）： （由非晶材料受力敏感性要求） 涉及产品非晶材料的结构设计和力传递的合理方式，确保产品的优异损耗性能在产品的储运和运行中保持稳定。 2. 合理匹配的绝缘系统（设计）： （由非晶合金薄片的易碎性和矩形绕组结构决定） 涉及产品在矩形高压电场中绝缘材料的合理匹配的原则和方法，以及对金属碎屑的游离控制，保证产品寿命期内绝缘性能的高度稳定。 英赛非晶技术 * 制造非晶变压器牵涉到的五大关键技术： AMDT制造技术 3. 抗短路能力（设计）： （由非晶变压器的矩形线圈和免受力非晶铁芯的要求） 非晶变压器的矩形线圈和不能受力的非晶铁芯要求有一种新技术来解决巨大的短路电动力冲击的难题。 4.噪声控制技术（设计和工艺)： （由非晶合金材料的磁致伸缩效应决定） 非晶合金材料产生的噪声能量远高于传统硅钢，要求有一种新技术来解决产品内核中电磁震动源的抑制、疏导和吸收，保证产品在运行中的噪声符合标准和低于传统硅钢变压器。 英赛非晶技术 * 制造非晶变压器牵涉到的五大关键技术： AMDT制造技术 5. 产品装配技术(工艺）： （由非晶合金材料的易碎性和非晶铁芯对受力的敏感性决定） 非晶铁芯对力的敏感性和非晶片的易碎性要求有一种新的装配流程和工艺装备来保证产品制造过程中对铁芯的受力保护和非晶碎屑的游离控制。 英赛非晶技术 * 各生产商损耗水平对照 英赛非晶技术 * ASEC 独特技术 Amorphous Alloy Core Distribution Transformer EnsavTM Series EnsavTM 英赛非晶技术 四大独特专利技术： 专业用于解决把非晶合金作为铁芯材料的配电变压器的设计、工艺、装配流程中遇到的技术难题。 英赛非晶技术 * ASEC 独特技术 Amorphous Alloy Core Distribution Transformer EnsavTM Series 1. Maglev Circuit (PTLicense -311) 悬浮磁圈技术 2. Tuff-Flex Insulation Sysetem (PTLicense -312) Tuff