单晶硅电池教材.pptVIP

光伏材料：晶体硅片制造工艺 单晶硅电池概况 太阳电池：90%结晶硅，10%薄膜。 单晶硅制造技术：直拉（CZ）法，区熔法（FZ） 理论单晶转换27%，现实17-18%。 控制成本方法： 提高单晶生长良率与产率。 使用生产废料降低原料使用。 降低线切割成本 发展更薄硅片 单晶硅电池优缺点 直拉法单晶硅制造 1917Czochralaki(切克劳斯基)发明，简称Cz法，1950应用到单晶。 该法是利用旋转着得单晶硅种从坩埚的硅熔体中提拉制造单晶硅棒的方法，故又称为直拉法。 单晶原料：破晶片，头尾废料，锅底残料 避免重掺杂硅原料，避免大颗粒杂质。地球上含量丰富 气压控制系统 为了避免SiO在炉壁的凝结，通常是持续通入保护气体氩气（Ar），在Ar的输运下SiO由机械泵抽走 炉内气压远大于SiO饱和蒸汽压，则上述现象更严重 如果炉内的气压为高真空状态，那么SiO从熔硅表面挥发就会出现沸腾的现象，故而导致熔硅的飞溅损失，同时也给单晶的生长带来不便 一般情况下，炉内的真空压力不小于650Pa 石英坩埚作用 石墨坩埚作用 氧杂质来源及去除方法 碳杂质来源及去除方法 直拉法中通入气体？ 通入气体作用 直拉单晶硅制造流程 一、太阳级硅的装料和熔化 装完料后，将石英坩埚放入拉晶炉的石墨坩埚上， 抽真空，并打开充气阀充入一定流量和压力的保护气体Ar，并且是炉内压力稳定在一定的范围内， 开启石墨加