半导体物理学刘恩科第七版第4章导电性.pptVIP

总电导率： n型半导体： p型半导体： 同理，可得： （4.43） （4.45） （4.45） Si材料的导带极值共有六个,每极值附近的等能面为旋转椭球面(如右图)，沿旋转轴方向有效质量为ml，垂直方向的为mt。若硅中电子浓度以n表示，求当外加电场E方向沿[100]方向时硅中的电流密度大小。 [100]能谷中，沿x方向的迁移率 [010]和[001]能谷中，沿x方向的迁移率 电流密度J 应该是6个能谷中电流密度之和, 每个能谷单位体积有n/6个电子。 mc称为电导有效质量.电子和空穴的平均自由时间和有效质量不同，电子的迁移率大于空穴的迁移率 可见，影响迁移率的因素（简要分析）： 1、有效质量：?不同方向具有不同有效质量； 2、平均自由时间?（散射几率）： 载流子浓度（差）、迁移率（和） 非补偿半导体： 补偿半导体： 3、温度的影响 （仍从公式分析） 问题： 电子和空穴的迁移率通常是不同的（电子较大），原因？ 实际晶体中采用的有效质量通常为电导有效质量，原因？ 半导体中，存多种散射机制，一般只考虑其中的主要作用机制即可。 杂质散射 电离杂质散射： 未电离杂质散射（重掺杂时）： 晶格散射 声学波散射： 光学波散射： 4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系 散射： 晶格散射＋掺杂＋温度 若存在多种散射机制，显然，τ将发生变化，即迁移率将发生变化（被加速时间变化）。 散射几率： 除以q/mn*, 得到 ?1、?2、?3表示只有一种散射机制存在时载流子的迁移率 对硅、锗半导体，主要受声学波散射和电离杂质散射：分别用?s和?i表示 1)对高纯样品或杂质浓度较低的样品，迁移率随温度升高迅速减小，Ni很小，BNi/T3/2可忽略 2) 杂质浓度高的样品，在低温范围，迁移率随温度升高反而缓慢升高，BNi/T3/2项增大，杂质散射其主要作用，晶格振动影响较小。 高温范围，T增大， BNi/T3/2降低，AT3/2其主要作用，以晶格振动散射为主，故迁移率下降。 对砷化镓，除声学波、电离杂质散射外，光学波散射也起重要作用： 迁移率随杂质浓度、温度的变化情况 图4-13 （a）电子 （b）空穴 迁移率与杂质浓度的关系 图4-14 300K时硅、锗、砷化镓迁移率与浓度的关系 不同半导体，为何相同情况下(掺杂、温度），迁移率不同 2. 少数载流子迁移率与多数载流子迁移率 1）低掺杂浓度时，多子电子与少子电子迁移率相同；空穴的多子与少子迁移率也近似相同； 2）掺杂浓度增大时，电子、空穴的多子与少子迁移率都单调下降； 3）对给定掺杂浓度，电子、空穴的少子迁移率均大于多子迁移率； 4）相同掺杂浓度时，少子与多子迁移率的差别，随杂质浓度的增大而增大。 杂质浓度的增大，少子迁移率大于多子迁移率的原因： 重掺杂时杂质能级扩展为杂质能带，导致禁带变窄。 导带中电子除受电离杂质散射外，还被施主能级所俘获，一段时间后，被俘获的电子又被导带中参与导电。 电子在作漂移运动时，不断被施主能级所俘获、再释放、再俘获，使电子的漂移运动减慢。 N型硅，由于导带中电子有一部分在杂质带上运动，漂移速度减小，使多子的迁移率下降。价带中的空穴，在正常的价带中作漂移运动。因此，对少子迁移率影响不大。 补偿性半导体，载流子的浓度为两种载流子浓度差，但载流子的迁移率与两种杂质浓度之和（增加了碰撞的几率）有关。 补偿半导体中，有效载流子浓度？ 导致迁移率升高或降低？ 若NDNA，若杂质全部电离，表现为电子导电； n= ND-NA， §4.4 电阻率随温度变化情况 电阻率表达式： 可见，电阻率随温度的变化情况取决于：载流子浓度、迁移率及它们随温度的变化情况 N型半导体： p型半导体： 轻掺杂(1016~1018cm-3)，室温下全电离，电阻率与杂质浓度成反比关系，对数坐标近似为直线。 杂质浓度越大，偏离线性关系。原因：1)室温下未全电离，尤其重掺杂。2)迁移率随杂质浓度增加将显著下降。 图4.16 硅电阻率与温度关系示意图 AB段：低温，忽略本征激发，载流子(杂质电离提供)随温度增加而增加。 杂质电离散射占优势，迁移率随温度升高而增加。 BC段：T继续增加（室温）至杂质全部电离。本征激发还不显著。载流子浓度几乎不随温度变化。 晶格振动增强，晶格散射逐渐占优势 迁移率：迁移率随温度升高而下降。 C段：T继续增加，本征激发渐占主导，载流子浓度迅速增加。电阻率随载流子的迅速增大而急剧下降 迁移率：迁移率下降。但下降幅度远低于本征激发导致载流子浓度增加的幅度。 §4.6 强电场下的效应 (μ) 载流子速度和迁移率关系： 1、电场不太强时，J与E服从欧姆定律