专升本《高电压技术及应用》_08129950试卷_20171011152505.doc

实用文档 标准 [试题分类]:专升本《高电压技术及应用》[题型]:单选 [分数]:2 1.电子撞击中性分子时被其吸附成为负离子的过程是（ ） A.带电粒子的运动 B.带电粒子的扩散 C.带电粒子的复合 D.附着效应 答案:D 2.由正离子撞击阴极表面引起的电离是（ ） A.碰撞电离 B.光电离 C.热电离 D.表面电离 答案:D 3.由光辐射引起的电离是（ ） A.碰撞电离 B.光电离 C.热电离 D.表面电离 答案:B 4.汤逊理论和流注理论都忽略了（ ）现象 A.电子的碰撞电离 B.离子的碰撞电离 C.热电离 D.表面电离 答案:B 5.只有流注理论考虑了（ ）现象 A.碰撞电离 B.光电离 C.热电离 D.表面电离 答案:B 6.流注理论未考虑（ ）现象。 A.碰撞电离　　 B.表面电离　　 C.光电离　　 D.空间电荷畸变电场 答案:B 7.我国00kV直流线路采用（ ） A.双分裂导线 B.4分裂导线 C.3分裂导线 D.单导线 答案:B 8.电晕放电不会引起（ ） A.无线电干扰 B.可听噪声 C.电能损耗 D.绝缘闪络 答案:D 9.我国110kV线路采用（ ） A.单导线 B.双分裂导线 C.3分裂导线 D.4分裂导线 答案:A 10.（ ）在被保护设备与保护间隙的配合中具有重要意义。 A.临界波头 B.伏秒特性 C.放电时延 D.饱和特征 答案:B 11.（ ）不是操作冲击电压作用下的特性。 A.击穿电压与波尾无关 B.存在临界波头 C.放电时延 D.具有饱和特征 答案:C 12.（ ）不是雷电冲击电压作用下的特性。 A.击穿电压与波尾无关 B.放电时延 C.放电分散性 D.击穿电压偏高 答案:A 13.（ ）不是“削弱或抑制电离过程”途径中的措施。 A.采用高气压 B.采用高真空 C.利用细线效应 D.采用电负性气体 答案:C 14.极化时间最长的是( ) A.电子式极化 B.离子式极化 C.偶极子极化 D.空间电荷极化 答案:D 15.（ ）不是“改善电场分布”途径中的措施。 A.采用屏障 B.利用空间电荷 C.改进电极形状 D.采用SF6气体 答案:D 16.制作（ ）时，绝缘介质的介电常数较大可以使体积和重量减小。 A.电缆 B.电容器 C.变压器 D.断路器 答案:B 17.制作（ ）时，选取介电常数较大的材料作为绝缘介质。 A.电容器 B.电缆 C.变压器 D.断路器 答案:A 18.绝缘介质的性能明显降低时，其吸收曲线将( ) A.变平缓 B.变陡峭 C.没有变化 D.不确定 答案:A 19.绝缘介质良好时，绝缘电阻值( ) A.较小 B.不变 C.较大 D.不易确定 答案:C 20.绝缘介质严重受潮时，泄漏电流将( ) A.不变 B.变小 C.不易确定 D.变大 答案:D 21.介质损耗角正切值与( )有关 A.施加电压 B.材料尺寸 C.电源频率 D.材料特性 答案:D 22.（ ）不是提高液体电介质击穿电压的措施。 A.清除杂质 B.采用绝缘层 C.防污 D.采用屏障 答案:C 23.与气体的汤逊理论相类似的液体电介质击穿理论的是（ ） A.电击穿理论 B.气泡击穿理论 C.流注理论 D.小桥理论 答案:A 24.（ ）不是提高固体电介质击穿电压的措施。 A.清除杂质 B.采用绝缘层 C.防污 D.防有害气体 答案:B 25.介质损耗角正切值测量时，采用倒相法可以消除( )的干扰。 A.高于试验电源频率 B.与试验电源同频率 C.低于试验电源频率 D.任何频率 答案:B 26.用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用反接法( )。 A.可以试品一端接地 B.试品设在高压端 C.不适用于现场试验 D.操作方便 答案:A 27.采用正接法测量介质损耗角正切值时的缺点是 ( )。 A.试品一端接地 B.试品设在高压端 C.不适用于现场试验 D.操作人员安全 答案:C 28.局部放电测量回路中要求试品两端对地绝缘的是（ ） A.串联回路 B.并联回路 C.桥式回路 D.倍压整流回路 答案:A 29.串级试验变压器的（ ），容量利用率越低。 A.单台容量越大 B.单台容量越小 C.级数越多 D.额定电压越高 答案:C 30.串级试验变压器的容量利用率与（ ）有关。 A.单台容量 B.额定电压 C.额定电流 D.