PN结正向压降与温度系应用.pptVIP

PN结正向压降与温度关系特性研究 江苏省省级实验示范中心 徐州工程学院物理实验教学中心 PN结温度传感器具有灵敏度高、线性好、热响应快、体积小、轻便和集成化等特点，所以其应用十分广泛，但是这类温度传感器的工作温度一般为-50℃～150℃，与其它温度传感器相比，测温范围的局限性较大。 本实验是集电学、热学为一体的综合性实验。 一、实验目的 1、了解PN结的产生与特性，了解PN结正向压降随温度变化的关系。 2、测绘PN结正向压降随温度变化的曲线，并由此确定其测温灵敏度。 3、学会一种半导体禁带宽度的测量方法。 二、实验原理 N型半导体与P型半导体 在纯净半导体晶体点阵里，用半导体掺杂工艺掺入少量其他元素的原子而成为“杂质半导体”，分为电子半导体（N型半导体）和空穴半导体（P型半导体）两大类。常温下，单独的N型半导体电子多，空穴少；单独的P型半导体空穴多，电子少。 - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 扩散运动 N型 P型 P-N结的形成 空穴浓度大，电子浓度小 电子浓度大，空穴浓度小 - - 当P型半导体和N型半导体接触时，N型中的电子向P型扩散，P型中的空穴向N型中扩散。电荷转移的结果是在交界面两侧出现正负电荷的积累，在