Multisim电路系统设计与仿真第七章.ppt

7.2 RAM存储器电路分析 3） 设计原理 RAM的结构框图如图7-7所示，其工作模式如表7.6所示。 图7-7 RAM内部结构图 表7.6 RAM的工作模式 工作模式 CS WE I/O 保持 0 × 高阻 读出数据 1 0 数据输出 写数据 1 1 数据输入 7.2 RAM存储器电路分析 本次实验所选芯片2K8RAM是单向的数据传输线，2K8RAM是可存储2048个8位二进制数的电可擦除可编程随机存取器。2K8RAM有12条地址线（A0~A11）、8条数据输入线（D0~D7）、8条数据输出线（Q0~Q7）和2条控制线——片选信号CE、写允许信号WE（2条控制线高电平有效）。 RAM读写电路 根据设计要求设计一个存储器读写电路，利用数码管显示读写数据。 在Multisim原理图界面单击右键Place component，从弹出的选取元件对话框中选择RAM存储器读写电路仿真所需元器件，在编辑窗口点击鼠标左键放置仿真元器件，按照图7-8所示连接电路。 7.2 RAM存储器电路分析 图7-8 RAM存储器读写电路 7.2 RAM存储器电路分析 4） 系统仿真 写操作 打开电源开关，调试电路，单击“逻辑状态”（INTERACTIVE_DIGITAL_CONSTANT）即可实现对信号“0”、“1”状态的设置。先令S2关闭，此时CS为高电平，芯片被选中，后关闭S1，此时为WE高电平写状态，当芯片处于写状态时，右边七段数码管显示初始值“00”。用A～D键编辑一个地址，用左边8个数字键编辑一组数据存入，并作纪录（存储一组数据后要使S1键置“0”）；再编辑第2个地址，重复上述操作，编辑第2个数据存入，也做记录；照此方法存入若干个数据。写状态如图7-9所示。 7.2 RAM存储器电路分析 图7-9 RAM写入状态仿真 7.2 RAM存储器电路分析 图7-10 写操作的电路状态（一） 在地址0001H存入数据22。 7.2 RAM存储器电路分析 图7-11 写操作的电路状态（二） 在地址0010H中存入数据50。 7.2 RAM存储器电路分析 图7-12 写操作的电路状态（三） 在地址0100H中存入数据72。 7.2 RAM存储器电路分析 图7-13 读操作的电路状态（一） 读操作 上述实例中，已经分别将三个数据存入存储器，下面对这些信息进行读取操作。 将S1开关打开，此时数据输出端有效，即输入键输入的数据不会影响Q0～Q7对数据的输出。再将地址输入端的“逻辑状态”DCBA设置为“0001”。此时电路状态如图7-13所示。 7.2 RAM存储器电路分析 图7-14 读操作的电路状态（二） 变换地址输入端的“逻辑状态”DCBA为“0010”，电路状态如图7-14所示。 7.3 竞赛抢答器电路分析——数字单周期脉冲信号源与数字分析 1）设计目的 学习数字电路设计竞赛抢答器电路的工作原理及设计思路； 学习用Multisim对竞赛抢答器进行仿真和分析； 验证竞赛抢答器的功能并对竞赛抢答器电路进行完善。 2） 设计任务 以四人抢答电路为例。四人参加比赛，每人一个按钮，其中一人按下按钮后，相应的指示灯点亮，并且在没有清零时，其他人按下按钮不起作用。 3） 设计原理 竞赛抢答器的功能及原理 这里以74LS175N为核心器件设计四人竞赛抢答电路。 7.3 竞赛抢答器电路分析——数字单周期脉冲信号源与数字分析 1）设计目的 学习数字电路设计竞赛抢答器电路的工作原理及设计思路； 学习用Multisim对竞赛抢答器进行仿真和分析； 验证竞赛抢答器的功能并对竞赛抢答器电路进行完善。 2） 设计任务 以四人抢答电路为例。四人参加比赛，每人一个按钮，其中一人按下按钮后，相应的指示灯点亮，并且在没有清零时，其他人按下按钮不起作用。 3） 设计原理 竞赛抢答器的功能及原理 这里以74LS175N为核心器件设计四人竞赛抢答电路。 7.3 竞赛抢答器电路分析——数字单周期脉冲信号源与数字分析 系统仿真及电路分析 以74LS175N四D触发器为核心器件设计四人竞赛抢答器电路。其中清零信号用于赛前清零，清零后电路结果如图7-15所示。 图7-15 电路清零 7.3 竞赛抢答