半导体器件蔡大华2场效应管.pptxVIP

场效应管分类：;;P 沟道场效应管;一、结型场效应管工作原理;1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用;2. 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时, uDS 对漏极电流iD的影响。;;3.当uGD uGS(off) 时（预夹断之后）， uGS 对漏极电流iD的控制作用;结型场效应管的工作原理（动画操作）;;小结：; 因为uGS≤0V，PN结反偏， iG=0，uGS变，iG总为零。所以讨论输入特性没有意义，但FET有转移特性。 ;图1.4.6 场效应管 的转移特性曲线;? ;;;uGS愈大，预夹断时的uDS值也愈大。 预夹断轨道的左边区域为可变电阻区。该区域中??线近似为不同斜率的直线。 当uGS确定时直线的斜率也惟一地被确定,直线斜率的倒数为d-s间等效电阻。因而在此区域中,可以通过改变uGS的大小(即压控的方式)来改变漏—源电阻的阻值,;图1.4.5 场效应管的输出特性; 恒流区特点：;⑶ 夹断区;;输出特性 (动画）;从输出特性画转移特性(动画）。;JEFT原理（动画2）;＊　结型P 沟道的特性曲线;1.4.2　绝缘栅型场效应管 MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; uGS=0时没有导电沟道iD=0， uGS=UGS（th）产生沟道。 ;一、N 沟道增