模拟电子技术基础第3章 场效应三极管及其应用电路.pptVIP

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  • 2020-01-30 发布于辽宁
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模拟电子技术基础第3章 场效应三极管及其应用电路.ppt

共69页第*页 JFET的特性曲线 输出特性 恒流区,饱和区, 线性放大区:预夹断之后的区域。在此区可认为iD只受uGS的控制而与uDS无关。此时的iD与uGS的关系为转移特性。 3.2.2 结型场效应管的电压电流特性 共69页第*页 击穿区:当uDS增加到一定数值后,由于加到沟道耗尽 层中的反向电压太高,使PN结发生雪崩击穿,iD很快上升。FET不允许工作在此区域。 截至区:当|uGS | Up 或 uGS Up时,沟道全部夹断,iD=0,称为截至区或夹断区。 3.2.2 结型场效应管的电压电流特性 共69页第*页 b) 转移特性 FET是压控器件,栅极基本没有输入电流,故讨论uGS与iG之间的输入特性没有意义。 转移特性指恒流区,当uDS一定时,uGS对 iD的控制作用. 它和输出特性一样,反映了FET工作的物理过程,故可直接从输出特性上用作图法求出。如下图。 改变uDS,可得一组转移特性,当uDS大于一定值后,不同uDS对应的转移特性非常接近,这是由于在恒流区iD几乎不随uDS而变。放大电路中,FET一般工作在恒流区,且uDS总有一定数值,这时可认为转移特性重叠为一条曲线,使分析简化。 3.2.2 结型场效应管的电压电流特性 共69页第*页 在转移特性上立: 3.2.2 结型场效应

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