模拟电子技术第1章　半导体二极管及其基本应用 .pptVIP

2. 反向特性 1)二极管反向偏置时，反向电流由少子漂移而成，所以在室温下的反向电流很小，且几乎不随反向电压的变化而变化。 2)当反向电压超过一定范围后，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。 3)产生击穿的机理分齐纳击穿和雪崩击穿。 1.3.3　半导体二极管的主要电参数 直流参数 （1）直流电阻RD：RD＝ （2）反向电流IR （3）正向电压降UF （1）微变动态电阻rd 　二极管的动态等效电阻a)电路　b)伏安特性　c)动态电阻 2.交流参数 rd ≈ （2）最高工作频率fM 3.极限参数 （1）最大整流电流IF ：指二极管长期运行时允许通过的 最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压U（BR） （3）最高反向工作电压UR ：通常为反向击穿电压的一半。 例1-1　设简单的硅二极管电路如图所示。已知，R＝10kΩ，对下列两种情况，求电路的iD和uD值。(1)VDD＝15V；(2)VDD＝1.5V。 　 简单硅二极管电路 解：　二极管是一种非线性器件，包含二极管的电路是非线性电路。为了计算分析的方便，在特定条件下，可以对二极管的非线性特性进行线性化或分段线性化处理。 　二极管伏安特性的两种模型a)理想二极管的伏安特性和模型　b)二极管恒压模型及其伏安特性 1.4　半导体二