模拟电子技术第3章　场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

第3章　场效应晶体管及其放大电路 3.1　场效应晶体管 3.2　场效应晶体管放大电路 3.3　多级放大电路 场效应管（Field Effect Transistor，简称FET） 本章教学要求 了解场效应晶体管的结构、工作原理，掌握场效应晶体管的外特性及主要参数； 掌握场效应晶体管的共源、共漏极放大电路分析方法； 理解多级放大器的级联方式及其特点，掌握多级放大器的放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算方法。 1.结型场效应晶体管的结构和符号 a)N沟道结构示意图　b)N沟道图形符号c)P沟道结构示意图　d)P沟道图形符号 3.1　场效应晶体管 3.1.1　结型场效应晶体管 G: 栅极 S: 源极 D: 漏极 2.结型场效应晶体管的工作原理 　N沟道结型场效应晶体管直流偏置电路 加压原则： 在栅－源极之间加电压，使栅-源极间的PN结反偏，栅极电流iG≈0 。 在漏-源极之间加电压，使沟道中的多数载流子在电场作用下由源极向漏极作定向移动，形成漏极电流iD。 (1)当uDS＝0V时，uGS对导电沟道的控制作用 a）uGS=0V b）UGS(off)uGS0V c）uGS≤UGS(off) UGS(off)：夹断电压 (2)当UGS(off)uGS0V时，uDS对漏极电流iD的影响 a）uGS-uDS ＞UGS(off) b）uGS-uDS= UGS(o