半导体导电机构.pptxVIP

第1页/共23页第2页/共23页满带对电流无贡献对电流有贡献不满带本征激发 一般来说，共价键中的价电子不完全象绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量（如光照、升温、电磁场激发等），一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为自由电子。 理论和实验表明：在常温（为了区别于自由电子的运动，把这种运动称为空穴运动，并把空穴看成是一种带正点荷的载流子复合： 当自由电子在运动过程中遇到空穴时可能会填充进去从而恢复一个共价键，与此同时消失一个第5页/共23页半导体中的空穴 第6页/共23页空穴的波矢kp和速度空穴的波矢kP=-kn 所以：V(kp)=V(kn)空穴的能量设价带顶的能量 Ev=0E(kn)电子从价带顶Ev→kn，将释放出能量：E(kn)= -△E第7页/共23页knknknmn*第8页/共23页mn*第9页/共23页导电条件： 有外加电压，有载流子 空穴是一个假想的带正电粒子，有正电粒子导电特性，实际是不存在的，是为了描述价带中电子移动对电流的贡献而引入的。为分析方便，引入空穴有效质量概念。 第10页/共23页? 导电机构（电子导电、空穴导电） 在外电场作用下，导带上电子和价带上的空穴共同参与导电称为半导体的导电机构第11页/共23页金属与半导体导电机理(机构)金属：只有电子一种载流子半导体：导带电子和价带空穴 对本征半导体： 导带电子数=价带空穴数第12页/共23页§1.5　半导体的能带结构不同材料，各向异性，复杂，理论上无法确定电子的全部能态。因此： 理论与实验相结合：回旋共振测试有效质量推导能带结构第13页/共23页一、半导体能带极值附近E(k)的分布K空间的等能面设极值点k0为(kx0,ky0,kz0).能量E在极值点k0附近的展开其中：第14页/共23页 上式代表的是一个椭球等能面。等能面上的波矢k与电子能量E之间有着一一对应的关系，即： k空间中的一个点对应一个电子态因此，为了形象直观地表示 E（k）- k 的三维关系，可以用k空间中的等能面来反映 E（k）- k 关系。第15页/共23页在长轴方向:m*大,E的变化缓慢在短轴方向:m*小,E的变化快极值点k0正好在某一坐标轴上能量E在K空间的分布为一旋转椭球曲面极值点k0在原点能量E在波矢空间的分布为球形曲面第16页/共23页二. Si.Ge.GaAs半导体的能带结构1.元素半导体Si金刚石结构第17页/共23页第18页/共23页(1)导带导带最低能值 [100]方向 [001]极大值点k0在坐标轴上。共有6个形状一样的旋转椭球等能面（演示动画）B[ī00]CD[0ī0][010]A[100][00ī]硅导带等能面示意图第19页/共23页2.价带价带极大值 位于布里渊区的中心（坐标原点K=0）。 E(k)为球形等能面外面的能带曲率小，对应的有效质量大，称该能带中的空穴为重空穴 ，(mp*)h 。存在极大值相重合的两个价带 内能带的曲率大，对应的有效质量小，称此能带中的空穴为轻空穴。（mp*)l 。 第20页/共23页2、锗的能带结构导带最低能值位于 [111]方向布里渊区边界上，共有八个。（演示动画）E(k)为以[111]方向为旋转轴的椭圆等能面存在有四个这种能量最小值第21页/共23页锗、硅的导带分别存在四个和六个能量最小值，导带电子主要分布在这些极值附近，通常称锗、硅的导带具有多能谷结构。硅和锗的导带底和价带顶在k空间处于不同的k值，为间接带隙半导体。第22页/共23页硅、锗的禁带宽度第23页/共23页GaAs的导带的极小值点和价带的极大值点为于K空间的同一点，这种半导体称为直接带隙半导体3. GaAs化合物半导体GaAs具有闪锌矿结构金刚石结构闪锌矿结构