场效应晶体管的结构工作原理和输出特性.pptxVIP

半导体材料简介 场效应管简介 场效应管分类 N沟道增强型MOS场效应管工作原理 N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 各种场效应的特性曲线 场效应管与双极型晶体管比较 场效应管的各项参数 场效应管的命名规范 ;本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 本征半导体的原子结构及共价键 共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。图所示为硅和锗的原子结构和共价键结构。 ;两种载流子——自由电子和空穴 温度越高，半导体材料中产生的自由电子便越多。束缚电子脱离共价键成为自由电子后，在原来的位置留有一个空位，称此空位为空穴。本征半导体中，自由电子和空穴成对出现，数目相同。图所示为本征激发所产生的电子空穴对。;杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。; 五价的元素具有五个价电子，它们进入由硅（或锗）组成的半导体晶体中，五价的原子取代四价的硅（或锗）原子，在与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时，因为多一个价电子不受共价键的束缚，很容易成为自由电子，于是半导体中自由电子的数目大量增加。自由电子参与导电移动后，在原来的位置留下一个不能移动的正离子，半导体仍然呈现电中性，但与此同时没有相应的空穴产生，如图所示。; N型半导体的共价键结构 ;P型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价元素，如硼（B）、铟（In）等，则构成P型半导体。;PN结的形成 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，如图所示。; 空间电荷区出现后，因为正负电荷的作用，将产生一个从N区指向P区的内电场。内电场的方向，会对多数载流子的扩散运动起阻碍作用。同时，内电场则可推动少数载流子（P区的自由电子和N区的空穴）越过空间电荷区，进入对方。少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。漂移运动和扩散运动的方向相反。无外加电场时，通过PN结的扩散电流等于漂移电流，PN结中无电流流过，PN结的宽度保持一定而处于稳定状态。;空间电荷区;少子 漂移; PN结外加正向电压（也叫正向偏置）时，如左下图所示： 正向偏置时外加电场与内电场方向相反，内电场被削弱，多子的扩散运动大大超过少子的漂移运动，N区的电子不断扩散到P区，P区的空穴也不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。;（2）PN结外加反向电压 PN结P端接低电位，N端接高电位，称PN结外加反向电压，又称PN结反向偏置，简称为反偏，如图所示。 ;; N沟道增强型MOSFET 的结构示意图和符号见图 。其中： D(Drain)为漏极，相当c； G(Gate)为栅极，相当b； S(Source)为源极，相当e。 N沟道增强型 MOSFET结构示意图; 如果在同一N型衬底上同时制造P沟MOS管和N沟MOS管，（N沟MOS管制作在P阱内），这就构成CMOS 。;;N沟道增强型MOSFET的结构;N沟道增强型MOSFET的工作原理;漏源电压UDS的控制作用; N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线有两条，转移特性曲线和漏极输出特性曲线。 1．转移特性曲线;2.漏极输出特性曲线 当UGS＞UGS(th)，且固定为某一值时，反映UDS对ID的影响，即ID=f(UDS)?UGS=const这一关系曲线称为漏极输出特性曲线。;从漏极输出特性曲线可以得到转移特性曲线，过程如下：;N沟道耗尽型MOSFET;MOSFET的分类; MOSFET的四种类型;;27;关于场效应管符号的说明：;各类场效应晶体管的特性曲线;;;;;场效应三极管的参数和型号; ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。