单片机原理与控制技术第2章 (2).ppt

2.1 片内结构和引脚功能 2.1.1 片内结构 2.1.2 引脚功能 ⒈ 电源: ⑴ VCC - 芯片电源，接+5V； ⑵ VSS - 接地端； ⒉ 时钟:XTAL1、XTAL2 - 晶体振荡电路反相输入端和输出端。 ⒊ 控制线:控制线共有4根，其中3根是复用线。所谓复用线是 指具有二种功能，正常使用时是一种功能，在某种条件下是另一种功能。 ⑴ ALE/PROG:地址锁存允许/片内EPROM编程脉冲 ① ALE功能：用来锁存P0口送出的低8位地址 ② PROG功能：片内有EPROM的芯片，在EPROM编程期间，此引脚输入编程脉冲。 ⑵ PSEN:外ROM读选通信号。 ⑶ RST/VPD:复位/备用电源。 ① RST（Reset）功能：复位信号输入端。 ② VPD功能：在Vcc掉电情况下，接备用电源。 ⑷ EA/Vpp:内外ROM选择/片内EPROM编程电源。 ① EA功能：内外ROM选择端。 ② Vpp功能：片内有EPROM的芯片，在EPROM编程期间，施加编程电源Vpp。 ⒋ I/O线 80C51共有4个8位并行I/O端口： P0 、P1 、P2 、P3口，共32个引脚。 P3口还具有第二功能，用于特殊信号输入输出和控制信号（属控制总线）。 P3.0 —— RXD：串行口输入端； P3.1 —— TXD：串行口输出端； P3.2 —— INT0：外部中断0请求输入端； P3.3 —— INT1：外部中断1请求输入端； P3.4 —— T0：定时/计数器0外部信号输入端； P3.5 —— T1：定时/计数器1外部信号输入端； P3.6 —— WR：外RAM写选通信号输出端； P3.7 —— RD：外RAM读选通信号输出端。 2.2 存储空间配置和功能 80C51的存储器组织结构可以分为三个不同的存储空间，分别是： ⑴ 64KB程序存储器(ROM),包括片内ROM和片外ROM； ⑶ 256B内部数据存储器(内RAM) (包括特殊功能寄存器） 。 ⑵ 64KB外部数据存储器（外RAM）； 80C51存储空间配置图 2.2.1 程序存储器（ROM） 地址范围：0000H～FFFFH，共64KB。其中: 低段4KB：0000H～0FFFH 80C51和87C51在片内，80C31在片外。  高段60KB：1000H～FFFFH。在片外。 读写ROM用MOVC指令，控制信号是PSEN和EA。 读ROM是以程序计数器PC作为16位地址指针，依次读相应地址ROM中的指令和数据，每读一个字节，PC+1→PC，这是CPU自动形成的。但是有些指令有修改PC的功能，例如转移类指令和MOVC指令，CPU将按修改后PC的16位地址读ROM。 2.2.2 外部数据存储器（外RAM） 地址范围：0000H～FFFFH 共64KB。 读写外RAM用MOVX指令， 控制信号是P3口中的RD和WR。 2.2.3 内部数据存储器（内RAM） 从广义上讲，80C51内RAM（128B）和特殊功能寄存器（128B）均属于片内RAM空间，读写指令均用MOV指令。但为加以区别，内RAM通常指00H～7FH的低128B空间。 80C51内RAM结构图，它又可以分成三个物理空间：工作寄存器区、位寻址区和数据缓冲区。 地址区域 功能名称 00H ～ 1FH 00H～07H 工作寄存器0区 08H～0FH 工作寄存器1区 10H～17H 工作寄存器2区 18H～1FH 工作寄存器3区 20H～2FH 位寻址区 30H～7FH 数据缓冲区 作用： ⒈ 工作寄存器区 工作寄存器区分为4个区：0区、1区、2区、3区。每区有8个寄存器：R0～R7，寄存器名称相同。但是，当前工作的寄存器区只能有一个，由PSW中的D4、D3位决定。 有专用于工作寄存器操作的指令，读写速度比一般内RAM要快，指令字节比一般直接寻址指令要短，还具有间址功能，能给编程和应用带来方便。 ⒉ 位寻址区 ⑴地址: 从20H～2FH共16字节（Byte，缩写为英文大写字母B）属位寻址区。每B有8位（bit，缩写为小写b），共128位，每一位均有一个位地址，可位寻址、位操作。所谓位寻址位操作是指按位地址对该位进行置1、清0、求反或判转。  ⑵用途： 存放各种标志位信息和位数据。 ⑶注意事项: 位地址与字节地址两者编址相同，容易混淆。区分方法:位操作指令中的地