Q_JS 002-2019深紫外LED芯片企业标准.pdf

ICS Q /J S 马鞍山杰生半导体有限公司企业标准 Q/JS 002-2019 深紫外LED 芯片 DUV LED CHIP 2019-07-01 发布 2019-07-01 实施 马鞍山杰生半导体有限公司 发布 1 前 言 本标准依据GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。 本标准由马鞍山杰生半导体有限公司起草。 本标准主要起草人：郑远志、黄小辉、姚禹、孙春娟。 2 深紫外LED 芯片 1 范围 本标准规定了深紫外 LED 芯片的定义、分类、标记、检验规则、检验方法及包装、标 志、运输和储存等要求。 本标准适用于本分司生产的深紫外 LED 芯片，深紫外 LED 芯片主要应用于洁净水、空 气、食品及医疗类杀菌、抑菌及表面消毒等领域。 2. 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版 本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T191-2008 包装储运图示标志 GB/T 2423.4-2008 电工电子产品环境试验 第2 部分：试验方法 试验Db：交变湿热 （12h+12h 循环） GB/T 2423.22-2012 电工电子产品环境试验第2 部分：试验方法试验N：温度变化 GB/T2828.1-2003 计数抽样检验程序第1 部分：按接收质量限（AQL ）检索的逐批检验 抽样计划 GB/T2829-2002 周期检验计数抽样程序及表（适用于过程稳定性的检验） GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第 1 部分：总则（IEC 60749- 1:2002,IDT） GB 6388-1986 运输包装接收发货标志 SJ/T11394-2009 半导体发光二极管测试方法 SJ/T11395-2009 半导体照明术语 SJ/T11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范 SJ/T11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法 3. 术语、定义 在SJ/T10416 、SJ/T11394 、SJ/T11395 、SJ/T11398、SJ/T11399 标准中使用的术语、定 义以及下列术语、定义适用于本标准。 4. 分类 芯片主要为倒装芯片，电极面朝下进行封装的芯片。 5. 标记 1.1. 芯片型号（15 位） 3 J S X X X X X X X X X X X X X 预留位置 电压代码 发光功率代码 波长代码 芯片工艺代码 芯片尺寸代码 公司代码 示例：（JS20YZ26APB1CXX ） JS:马鞍山杰生半导体有限公司；20Y:芯片型号是10*20；Z ：倒装正常工艺； 26A：波长在260nm-262.5nm 之间；PB1：光功率在1.5-2mW 之间；C: 电压在