双极型晶体管及相关器件二.pptxVIP

（第五章） 双极型晶体管及相关器件;双极型晶体管的静态特性;双极型晶体管的静态特性;;;;; 图(c)显示结上的电场强度分布，在中性区域中的少数载流子分布可由无电场的稳态连续方程式表示： ;;;即使VBC降到零伏，空穴依然被集电极所吸引，因此集电极电流仍维持一固定值。 图(a)中的空穴分布也显示出这种情形，x=W处的空穴梯度在从VBC＞0变为VBC=0后，只改变了少许，使得集电极电流在整个放大模式范围下几乎相同。;;;;;当集电极和基极间的反向偏压增加时，基区的宽度将会减少，导致基区中的少数载流子浓度梯度增加，亦即使得扩散电流增加，因此IC也会增加。下图显示出IC随着VEC的增加而增加，这种电流变化称为厄雷效应，或称为基区宽度调制效应，将集电极电流往左方延伸，与VEC轴相交，可得到交点，称为厄雷电压。 ;;;下图(a)是此放大器的低频等效电路，在更高频率的状况下，必须在等效电路中加上适当的电容。与正向偏压的p-n结类似，在正向偏压的射基结中，会有一势垒电容CEB和一扩散电容Cd，而在反向偏压的集基结中只存在势垒电容CCB，如图 (b)所示。 ;其中;截止频率 ：在右上图中，跨导gm和输入电导gEB与晶体管的共基电流增益有关。在低频时，共基电流增益是一固定值，不会因工作频率而改变，然而当频率升高至一关键点后，共基电流增益将会降低。右下图是一典型的共基电流增益相对于工作频率的示意图。加入频率的参量后，共基电流增益为 ;;;以线性空穴分布为例，将;在数字电路中晶体管的主要作用是当作开关。可以利用小的基极电流在极短时间内改变集电极电流由关(off)的状态成为开(on)的状态(反之亦然)。关是高电压低电流的状态，开是低电压高电流的状态。;;;;;;;;;;; 右图是一可控硅器件的横截面示意图，是一个四层p-n-p-n器件，由三个串接的p-n结J1、J2、J3组成。与接触电极相连的最外一p层称为阳极，另一边的n层称为阴极。这个没有额外电极的结构是个两瑞点的器件，被称为p-n-p-n二极管。若另一称为栅极的电极被连到内层的p2层，所构成的三端点器件一般称为可控硅器件。 ;;;