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泓域咨询MACRO/ IGBT建设项目投资立项申请报告 IGBT建设项目投资立项申请报告 一、项目建设背景 IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。 IGBT是功率半导体中的关键产品门类。作为新一代的功率半导体，IGBT性能十分优异，适用于各类需要进行交直流转换、电流电压转换的应用场景。在电网输变电、新能源汽车、轨道交通、新能源、变频家电等领域发挥巨大的作用。SiC和GaN等化合物半导体是新兴的发展热点，在高压、高频、高温、高功率应用市场优势显著，是未来技术的发展方向和应用市场的需求方向。 2017年，全球IGBT芯片和模组的市场规模为40.6亿美元，约占全球功率器件市场总规模的19%。其中，IGBT芯片和模组的市场规模分别为10.3亿美元和30.3亿美元。2018年，受功率器件涨价影响，预计市场规模将增长至49.1亿美元。 全球IGBT市场主要竞争者包括德国英飞凌(Infineon)、日本三菱、富士电机、美国安森美(OnSemi)、瑞士ABB等。 二、项目承办单位 （一）承办单位 xxx集团 （二）项目负责人 郭x