微电子学概论ch2mos场效应晶体管.pptxVIP

场效应管与晶体管的区别;晶体管的基本结构;MOS场效应晶体管;OUTLINE;;;工作原理（以P沟道为例）;UDS=0V时;UGS达到一定值时（夹断电压VT）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使USD ? 0V，漏极电流ID=0A。;;;;; 结型场效应管的缺点：;;根据导电沟道： nMOS、pMOS;OUTLINE;MIS结构;;;OUTLINE;电容的含义;MOS结构的电容;MOS 电容的结构;OUTLINE;MOSFET;增强型MOS场效应管(以N沟道为例）;当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，???UDS的作用下形成ID。 UT：开启电压、阀值电压。 ;MOS管衬底偏置效应;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线; 当UDS增加到使UGD=UT时，;;N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理;小结：MOS;作业;PMOSFET;