Q_01JH021-2019塑封半导体分立器件 XT20C600T3P碳化硅肖特基二极管 详细规范.pdf

Q_01JH021-2019塑封半导体分立器件 XT20C600T3P碳化硅肖特基二极管 详细规范.pdf

  1. 1、本文档共6页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
Q/JH 济南晶恒电子有限责任公司企业标准 Q/01JH021-2019 塑封半导体分立器件 XT20C600T3P 碳化硅肖特基二极管 详细规范 2019-11-01 发布 2019-11-01 实施 济南晶恒电子有限责任公司 发 布 Q/01JH021-2019 济南晶恒电子有限责任公司 塑封半导体分立器件 XT20C600T3P 型 碳化硅肖特基二极管详细规范 Q/01JH021-2019 1 范围 1.1 主题内容 本规范规定了塑封半导体分立器件 XT20C600T3P 碳化硅肖特基二极管 以下简称“器 件”)的详细要求。 1.2 适用范围 本规范适用于器件的筛选、检验和采购。 1.3 分类 本规范参照器件质量保证等级进行分类。 1.3.1 器件的等级 筛选项目依据 QZJ840611 《半导体二、三极管 “七专”技术条件》的规定进行,试验 方法按照 QZJ840611 《半导体二、三极管 “七专”技术条件》或 GJB 128A-1997 《半导体 分立器件试验方法》进行。 2 引用文件 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第 3 部分:信号 包括开关)和调整二极管 GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 SJ 908-1974 半导体二极管 二类)总技术条件 SJ/T 10745-1996 半导体集成电路机械和气候试验方法 QZJ 840611 半导体二、三极管 “七专”技术条件 3 要求 3.1 详细要求 各项要求应按本规范的规定。 3.2 设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应按本规范的规定。 2 Q/01JH021-2019 3.2.1 引出端涂层 引出端表面镀锡。 3.2.2 外形尺寸及引出端极性 器件外形为塑封 TO-247 型,外形尺寸应按图 1 的规定。

您可能关注的文档

文档评论(0)

153****0046 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档