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第5章 场效应管及其基本放大电路 5.1 场效应管1. 特点:(1)导电能力由电压控制的半导体器件。(2) 仅靠多数载流子导电,又称单极型晶体管。(3) 体积小、耗电少、寿命长等优点，(4) 输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。(5)广泛用于大规模及超大规模集成电路。JFET结型FET场效应管MOSFET(IGFET)绝缘栅型2.场效应管分类：N沟道（耗尽型）P沟道N沟道增强型P沟道N沟道耗尽型P沟道PP5.1.1 结型场效应管:结构:基底 ：N型半导体D漏极N两边是P区G栅极导电沟道PN结S源极DGSDGS符号：N沟道结型场效应管P 沟道结型场效应管UGS二、工作原理（以N沟道为例）当 UDS= 0 V时：* 若UGS = 0,沟道较宽，沟道电阻小* 若加入UGS 0,PN结反偏，耗尽层变厚沟道变窄，沟道电阻增大* 若UGS = VP （夹断电压）时沟道夹断，沟道电阻很大沟道夹断时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。但当|UGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。|UGS|越大,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。加入UGS使沟道变窄，该类型效应管称为耗尽型漏源电压VDS对iD的影响* 在栅源间加电压VGS，漏源间加电压VDS。耗尽层上下量端受的反偏电压不同由于漏源间有一电位梯度VDS上端（漏端）VGD=VGS-VDS即 |VGD|=|VGS|+|VDS|下端（源端）VGD=VGS使沟道呈楔形 随VDS增大，这种不均匀性越明显。沟道夹断前，iD 与 vDS 近似呈线性关系。 当VDS增加到使VGD=VGS-VDS =VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断点。 当VDS继续增加时，预夹断区向源极方向伸长。电阻增大，使VDS增加不能使漏极也增大，漏极电流 iD 趋于饱和。1、输出特性曲线：条件： 源端与漏端沟道都不夹断4.1.2 伏安特性曲线及参数（1）可变电阻区特点: (1)当vGS 为定值时, 管子的漏源间呈线性电阻，且其阻值受 vGS 控制 ，（ iD 是 vDS 的线性函数）。 （2）管压降vDS 很小。用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。条件: (1)源端沟道未夹断(2)漏端沟道予夹断I为饱和漏极电流DSS（2）恒流区：(又称饱和区或放大区）（动画2-6）特点: (1) 受控性： 输入电压 vGS 控制输出电流 (2) 恒流性：输出电流 iD 基本上不受输出电压 vDS 的影响。用途:可做放大器和恒流源。特点： 当漏源电压增大到 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20— 50）V之间。由于VGD=VGS-VDS, 故vGS越负，对应的VP就越小。管子不能在击穿区工作。（3）夹断区：条件：整个沟道都夹断 用途：做无触点的、接通状态的电子开关。（4）击穿区2、转移特性曲线输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制N沟道耗尽型结型场效应管 P沟道耗尽型结型场效应管的特性小结N沟道P沟道 耗尽型N沟道P沟道 增强型5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 绝缘栅型场效应管( Metal Oxide Semiconductor ) —— MOSFET类型及其符号:增强型 (N沟道、P沟道), VGS=0 时无导电沟道，iD=0耗尽型 (N沟道、P沟道)，VGS=0 时已有导电沟道。 SiO2绝缘层金属电极P型硅衬底高掺杂N区 5.1.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管NMOS1、结构 金属 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。源极S栅极G漏极D 绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。2、N沟道增强型MOS场效应管的工作原理（1）. 栅源电压VGS的控制作用 当VGS=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的 PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在D、S间也不可能形成电流。 当 0＜VGS＜VT (开启电压)时， 通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。N沟道增强型场效应管的工作原理 当VGS＞VT时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称为反型层。形成N源区到N漏区I D的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，