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- 2020-03-11 发布于天津
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* ■电力MOSFET的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √指漏极电流ID和栅源间电压 UGS的关系,反映了输入电压和输 出电流的关系 。 √ID较大时,ID与UGS的关系近似 线性,曲线的斜率被定义为 MOSFET的跨导Gfs,即 2.4.3 电力场效应晶体管 图2-21 电力MOSFET的 转移特性和输出特性 a) 转移特性 (2-11) √是电压控制型器件,其输入阻 抗极高,输入电流非常小。 * 2.4.3 电力场效应晶体管 ?输出特性 √是MOSFET的漏极伏安特性。 √截止区(对应于GTR的截止区)、饱和区(对应于GTR的放大区)、非饱和区(对应于GTR的饱和区)三个区域,饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加,非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。 √工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。 ?本身结构所致,漏极和源极之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管。 ?通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。 图2-21 电力MOSFET的转移特性和输出特性 b) 输出特性 * 2
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